编辑:Andy 发布:2024-07-17 12:00
据韩媒报道,三星电子副总裁柳昌植(DRAM先进开发团队负责人)近日表示,三星电子下一代DRAM路线图进展良好,1b DRAM正在顺利量产,4F Square也正在顺利开发,三星将在内存领域保持超级差距。
其中,4F Square DRAM 是下一代DRAM,其存储单元(存储数据的最小单位)结构垂直而不是水平排列。平方是衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积有多大的指标。
目前商业化的DRAM具有6F Square结构。由于DRAM的密度和性能随着单元面积的减小而提高,因此各大原厂都集中精力开发技术以推进到4F Square。三星预计明年将开发出 4F Square DRAM 的初始样品。
此外,三星电子正专注于开发尖端的DRAM解决方案,包括量产1b(第五代10纳米级DRAM)DRAM以及验证具有业界最高运行速度的LPDDR5X。
三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试,目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。
存储原厂 |
三星电子 | 80900 | KRW | +0.62% |
SK海力士 | 191800 | KRW | +0.95% |
美光科技 | 109.410 | USD | +1.82% |
英特尔 | 31.350 | USD | +0.80% |
西部数据 | 68.260 | USD | +2.66% |
南亚科 | 58.1 | TWD | -4.13% |
华邦电子 | 23.45 | TWD | -1.88% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | -4.83% |
慧荣科技 | 70.080 | USD | +2.04% |
美满科技 | 65.720 | USD | +2.70% |
点序 | 67.2 | TWD | -0.88% |
国科微 | 51.94 | CNY | +0.37% |
品牌/模组 |
江波龙 | 80.72 | CNY | +0.93% |
希捷科技 | 103.680 | USD | -0.27% |
宜鼎国际 | 282.5 | TWD | -3.25% |
创见资讯 | 95.8 | TWD | -2.84% |
威刚科技 | 92.3 | TWD | -3.25% |
世迈科技 | 23.170 | USD | +1.80% |
朗科科技 | 17.05 | CNY | -0.64% |
佰维存储 | 52.46 | CNY | -1.35% |
德明利 | 77.11 | CNY | +0.47% |
大为股份 | 9.23 | CNY | +1.32% |
封测厂商 |
华泰电子 | 49.4 | TWD | -4.82% |
力成 | 189 | TWD | +2.72% |
长电科技 | 32.20 | CNY | +0.34% |
日月光 | 155.5 | TWD | -9.86% |
通富微电 | 21.91 | CNY | +1.39% |
华天科技 | 8.26 | CNY | +0.61% |
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