编辑:Andy 发布:2024-08-12 11:08
据韩媒引述业界消息称,已证实三星电子正准备向P4引进DRAM处理设备。线路建设已全面启动,目标是明年6月投入运营,生产第六代1c制程 DRAM。
1c DRAM目前尚未商业化,三星电子和SK海力士都在积极准备量产。其中三星电子计划从今年年底开始生产1c DRAM。
此外,消息称三星电子正在考虑将1c DRAM用于HBM4(第6代HBM),计划于明年下半年出货。因此P4很有可能成为下一代HBM生产的前沿基地。
P4有望成为三星电子DRAM生产核心。就NAND而言,随着人工智能普及,需求显著增加,尤其是作为代表性存储介质的eSSD。目前,主要的NAND生产厂实际上已经全面运转(full opera)。需要额外的产能,预计将通过平泽P4工厂来实现。
存储原厂 |
三星电子 | 57600 | KRW | -2.04% |
SK海力士 | 194600 | KRW | -1.67% |
铠侠 | 2065 | JPY | -10.84% |
美光科技 | 75.989 | USD | -14.23% |
西部数据 | 35.410 | USD | -15.25% |
闪迪 | 39.165 | USD | -17.84% |
南亚科 | 41.10 | TWD | +7.31% |
华邦电子 | 18.70 | TWD | +3.31% |
主控厂商 |
群联电子 | 556 | TWD | +4.51% |
慧荣科技 | 47.220 | USD | -8.51% |
联芸科技 | 46.02 | CNY | -1.54% |
点序 | 62.6 | TWD | +0.81% |
国科微 | 67.66 | CNY | -1.71% |
品牌/模组 |
江波龙 | 90.60 | CNY | -2.40% |
希捷科技 | 74.210 | USD | -13.22% |
宜鼎国际 | 260.0 | TWD | +0.97% |
创见资讯 | 104.0 | TWD | 0.00% |
威刚科技 | 90.7 | TWD | +2.37% |
世迈科技 | 15.685 | USD | -13.10% |
朗科科技 | 27.56 | CNY | +1.25% |
佰维存储 | 67.29 | CNY | -3.44% |
德明利 | 126.66 | CNY | -2.11% |
大为股份 | 14.61 | CNY | -1.55% |
封测厂商 |
华泰电子 | 35.55 | TWD | +8.05% |
力成 | 127.5 | TWD | +1.19% |
长电科技 | 34.37 | CNY | -2.44% |
日月光 | 149.0 | TWD | -0.33% |
通富微电 | 26.54 | CNY | -1.26% |
华天科技 | 10.44 | CNY | -1.42% |
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