编辑:Andy 发布:2024-08-12 11:08
据韩媒引述业界消息称,已证实三星电子正准备向P4引进DRAM处理设备。线路建设已全面启动,目标是明年6月投入运营,生产第六代1c制程 DRAM。
1c DRAM目前尚未商业化,三星电子和SK海力士都在积极准备量产。其中三星电子计划从今年年底开始生产1c DRAM。
此外,消息称三星电子正在考虑将1c DRAM用于HBM4(第6代HBM),计划于明年下半年出货。因此P4很有可能成为下一代HBM生产的前沿基地。
P4有望成为三星电子DRAM生产核心。就NAND而言,随着人工智能普及,需求显著增加,尤其是作为代表性存储介质的eSSD。目前,主要的NAND生产厂实际上已经全面运转(full opera)。需要额外的产能,预计将通过平泽P4工厂来实现。
存储原厂 |
三星电子 | 78300 | KRW | 0% |
SK海力士 | 191100 | KRW | -0.78% |
美光科技 | 105.130 | USD | -2.95% |
英特尔 | 20.335 | USD | -5.02% |
西部数据 | 64.200 | USD | -1.28% |
南亚科 | 54.8 | TWD | +0.37% |
华邦电子 | 23.75 | TWD | +1.71% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | +0.76% |
慧荣科技 | 64.885 | USD | -0.94% |
美满科技 | 69.680 | USD | -2.33% |
点序 | 62.6 | TWD | -0.16% |
国科微 | 46.92 | CNY | -1.28% |
品牌/模组 |
江波龙 | 70.78 | CNY | -0.39% |
希捷科技 | 103.470 | USD | -0.93% |
宜鼎国际 | 290 | TWD | +4.5% |
创见资讯 | 101 | TWD | -1.46% |
威刚科技 | 94.6 | TWD | -0.32% |
世迈科技 | 20.200 | USD | -2.65% |
朗科科技 | 17.26 | CNY | -5.84% |
佰维存储 | 45.13 | CNY | -1.68% |
德明利 | 71.38 | CNY | +1.09% |
大为股份 | 8.88 | CNY | -2.31% |
封测厂商 |
华泰电子 | 42.6 | TWD | +0.12% |
力成 | 143 | TWD | -1.38% |
长电科技 | 30.16 | CNY | -1.37% |
日月光 | 150 | TWD | -1.64% |
通富微电 | 19.17 | CNY | -1.44% |
华天科技 | 7.65 | CNY | -1.03% |
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