编辑:Andy 发布:2024-08-13 15:08
据韩媒报道,SK海力士近日宣布,计划开发4F² DRAM。SK海力士研究员 Seo Jae Wook 表示,自 1c DRAM 商业化以来,EUV工艺成本一直在快速上涨。SK海力士正在考虑为未来的DRAM 制造引入垂直栅极 (VG) 或 3D DRAM技术,采用 VG 或 3D DRAM,可将 EUV 工艺成本降低一半。
VG是内存制造商内部所称的 4F²。三星将其称为垂直通道晶体管 (VCT)。
4F² DRAM 是下一代DRAM,其存储单元(存储数据的最小单位)结构垂直而不是水平排列。平方是衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积有多大的指标。
如果成功的话,据说在不改变节点的情况下,与现有的6F² DRAM 相比,采用4F² 的单元阵列可以将芯片die面积减少30%左右。
消息人士称,三星和SK海力士计划在10nm及以下节点将4F² 与 DRAM 结合使用。三星电子今年7月曾表示,其4F² 正在顺利开发中。
存储原厂 |
三星电子 | 56200 | KRW | +0.90% |
SK海力士 | 182800 | KRW | +2.52% |
铠侠 | 1886 | JPY | +4.02% |
美光科技 | 77.420 | USD | +6.16% |
西部数据 | 40.170 | USD | +6.55% |
闪迪 | 32.290 | USD | +6.36% |
南亚科 | 38.25 | TWD | +2.27% |
华邦电子 | 15.75 | TWD | +2.27% |
主控厂商 |
群联电子 | 456.0 | TWD | +4.71% |
慧荣科技 | 44.060 | USD | +5.53% |
联芸科技 | 40.55 | CNY | -2.03% |
点序 | 52.4 | TWD | +3.15% |
国科微 | 66.54 | CNY | +0.32% |
品牌/模组 |
江波龙 | 76.98 | CNY | -2.82% |
希捷科技 | 83.040 | USD | +6.34% |
宜鼎国际 | 240.0 | TWD | +2.35% |
创见资讯 | 107.0 | TWD | +2.39% |
威刚科技 | 82.7 | TWD | +2.35% |
世迈科技 | 17.000 | USD | +4.10% |
朗科科技 | 23.61 | CNY | -4.61% |
佰维存储 | 60.44 | CNY | -2.36% |
德明利 | 127.39 | CNY | -1.53% |
大为股份 | 13.81 | CNY | -1.36% |
封测厂商 |
华泰电子 | 31.75 | TWD | +1.76% |
力成 | 114.5 | TWD | +0.44% |
长电科技 | 32.81 | CNY | -0.91% |
日月光 | 139.0 | TWD | +4.91% |
通富微电 | 25.20 | CNY | -2.51% |
华天科技 | 9.77 | CNY | -1.61% |
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