编辑:Andy 发布:2024-08-13 15:08
据韩媒报道,SK海力士近日宣布,计划开发4F² DRAM。SK海力士研究员 Seo Jae Wook 表示,自 1c DRAM 商业化以来,EUV工艺成本一直在快速上涨。SK海力士正在考虑为未来的DRAM 制造引入垂直栅极 (VG) 或 3D DRAM技术,采用 VG 或 3D DRAM,可将 EUV 工艺成本降低一半。
VG是内存制造商内部所称的 4F²。三星将其称为垂直通道晶体管 (VCT)。
4F² DRAM 是下一代DRAM,其存储单元(存储数据的最小单位)结构垂直而不是水平排列。平方是衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积有多大的指标。
如果成功的话,据说在不改变节点的情况下,与现有的6F² DRAM 相比,采用4F² 的单元阵列可以将芯片die面积减少30%左右。
消息人士称,三星和SK海力士计划在10nm及以下节点将4F² 与 DRAM 结合使用。三星电子今年7月曾表示,其4F² 正在顺利开发中。
存储原厂 |
三星电子 | 57600 | KRW | -2.04% |
SK海力士 | 194600 | KRW | -1.67% |
铠侠 | 2065 | JPY | -10.84% |
美光科技 | 76.120 | USD | -14.09% |
西部数据 | 35.465 | USD | -15.11% |
闪迪 | 39.105 | USD | -17.97% |
南亚科 | 41.10 | TWD | +7.31% |
华邦电子 | 18.70 | TWD | +3.31% |
主控厂商 |
群联电子 | 556 | TWD | +4.51% |
慧荣科技 | 47.225 | USD | -8.50% |
联芸科技 | 46.02 | CNY | -1.54% |
点序 | 62.6 | TWD | +0.81% |
国科微 | 67.66 | CNY | -1.71% |
品牌/模组 |
江波龙 | 90.60 | CNY | -2.40% |
希捷科技 | 74.290 | USD | -13.13% |
宜鼎国际 | 260.0 | TWD | +0.97% |
创见资讯 | 104.0 | TWD | 0.00% |
威刚科技 | 90.7 | TWD | +2.37% |
世迈科技 | 15.650 | USD | -13.30% |
朗科科技 | 27.56 | CNY | +1.25% |
佰维存储 | 67.29 | CNY | -3.44% |
德明利 | 126.66 | CNY | -2.11% |
大为股份 | 14.61 | CNY | -1.55% |
封测厂商 |
华泰电子 | 35.55 | TWD | +8.05% |
力成 | 127.5 | TWD | +1.19% |
长电科技 | 34.37 | CNY | -2.44% |
日月光 | 149.0 | TWD | -0.33% |
通富微电 | 26.54 | CNY | -1.26% |
华天科技 | 10.44 | CNY | -1.42% |
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