外电21日报导,根据呈交至德拉瓦州破产法院的文件,德州仪器(Texas Instruments Inc.)已出价1.725亿美元,希望能买下奇梦达(Qimonda AG)在维吉尼亚州Richmond郡的记忆体晶片制造厂房。根据文件,若有其他厂商出面竞价,则

本周记忆体现货价普遍呈现上扬走势;在DRAM现货价方面,因多数厂商将产能转进DDR3,DDR2产能缩减,导致DDR2供货逐渐短缺,激励DDR2颗粒价格一周来全面上扬,重回1.5美元价位;其中DDR2 1Gb 667MHz及DDR2 1Gb eTT一周来皆上

上周(8-10—8-14)NAND闪存芯片价格继续呈上扬的趋势。上周前期NAND闪存芯片价格微幅上扬,上周后期NAND闪存芯片则出现两级分化局面,容量高的产品价格出现回落的趋势,低容量市场产品价格则出现上扬趋势。MicroSD卡方面还是持续价格还是持续上扬

2009年三星策略上减少现货市场的供货量,以系统业者大客户为主,加上释放到现货市场的记忆卡成卡数量也减少,因此是2009年NAND Flash价格稳健的主因之一。

低密度microSD卡,消息东芝工厂停电从而有助于进一步促进低密度NAND闪存芯片的价格在本周( 7月27号至31号)持续上升。

我们认为,改善记忆卡的需求在本周( 7月20号至24号) ,体现于更多的内存卡交易。

经济部工业局今(22)日举行「DARM产业再造方案」说明会,局长杜紫军在会后记者会中,率先针对TMC破局的市场看法澄清,政府对于DRAM产业再造上,希望进行结构性的改变,因此才会拖了这么久,如今「DRAM产业再造方案」公布,代表TMC条件都已准备好了,现在

下游客户采购意愿仍低,上游供应商也持续小幅调低主流 MLC NAND Flash 合约价, 7 月上旬主流的 MLC NAND Flash 合约价大致呈现小幅下跌约 1% 到 5%

年中库存盘点,导致上周NAND闪存现货市场需求下降,整体价格保持稳定;DRAM上周交易仍然有限,需求疲弱

NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。

DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势

NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌

Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展

全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名

由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。

简讯快报

更多

存储厂商

更多

上市公司

数据有延时,03-03 12:51
存储原厂
三星电子 KRW 200500 -7.39%
SK海力士 KRW 982500 -7.40%
铠侠 JPY 20755 -3.53%
美光科技 USD 412.670 +0.07%
西部数据 USD 270.080 -3.44%
闪迪 USD 619.080 -2.56%
南亚科技 TWD 256.5 -10.00%
华邦电子 TWD 112.5 -9.64%
主控厂商
群联电子 TWD 1760 -8.33%
慧荣科技 USD 129.190 -0.03%
联芸科技 CNY 45.62 -4.44%
点序 TWD 83.6 -5.54%
品牌/模组
江波龙 CNY 268.88 -4.98%
希捷科技 USD 379.520 -6.94%
宜鼎国际 TWD 819 -4.32%
创见资讯 TWD 202.5 -7.32%
威刚科技 TWD 268.5 -7.89%
世迈科技 USD 20.050 -3.51%
朗科科技 CNY 32.65 -6.82%
佰维存储 CNY 150.61 -6.16%
德明利 CNY 233.00 -5.50%
大为股份 CNY 26.84 -3.10%
封测厂商
华泰电子 TWD 53.4 -6.32%
力成 TWD 229.5 -9.29%
长电科技 CNY 48.63 +3.98%
日月光 TWD 357.5 -3.51%
通富微电 CNY 49.48 -2.79%
华天科技 CNY 14.55 -1.09%