消息称三星最早下周开始量产HBM4,今年HBM销量增长三倍以上

存储器 网络 Andy 2026-02-09 18:38

据韩媒报道,三星电子决定最早于本月第三周开始量产HBM4,这批产品将用于英伟达下一代人工智能计算平台“Vera Rubin”。在已通过英伟达认证测试的情况下,三星电子综合考虑“Vera Rubin”的上市计划,最终敲定了量产计划。业界预计,英伟达有望在下月年度开发者大会(GTC)上首次公开搭载三星电子HBM4的相关产品。

三星电子HBM4 采用1c DRAM 和 4nm 制程工艺,其数据处理速度超过了JEDEC 标准的8Gbps,最高可达11.7Gbps,比上一代 HBM3E(9.6Gbps)提升22%。单层堆叠的内存带宽也高达3TB/s,比上一代产品提高了2.4 倍,12 层堆叠技术可提供最大 36GB 的容量。未来扩展到 16 层堆叠技术预计可将容量提升至 48GB。其另一大优势在于其低功耗设计,能够在支持高性能计算的同时,显著降低服务器和数据中心的功耗和冷却成本。

三星电子预计今年其HBM销量将比去年增长三倍以上,为支持这一增长,三星正在平泽P4工厂建设一条新的1c DRAM生产线。该生产线预计将于明年第一季度完工,月产能预计为10万至12万片晶圆。

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