三星20奈米HKMG技术芯片试产告捷

厂商动态 中国闪存市场 Helan 2011-07-14 08:07
据报导,三星电子(Samsung Electronics)宣布,已成功采用20奈米高介电/金属闸极(High-k/Metal-Gate;HKMG)制程技术试产芯片,并发布制程设计套件(Process Design Kit;PDK)予客户使用。
三星指出,由于装置功能多元,系统单芯片(SoC)业者需有制程技术以为支撑,然要采用20奈米制程,便需运用截然不同的设计架构方法,试产芯片采用新的PDK,整合芯片设计方法、工具、智权,可协助客户迅速将最新芯片设计推入市场。三星试产芯片采用安谋(ARM)、Cadence设计,与新思(Synopsys) Galaxy嵌入式平台。

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