三星电子(Samsung Electronics, Co., Ltd.)宣布,旗下专业晶圆代工事业Samsung Foundry位于南韩京畿道器兴(Giheung)的12吋晶圆厂「 S Line」已通过32奈米低耗电高介电层金属闸(High-k Metal Gate,HKMG)逻辑制程技术认证,目前已可开始量产专为注重多媒体、能源效率的次世代行动消费性电子产品所设计的晶片。
三星电子指出,Samsung Foundry运用了低耗电深次微米技术,与IBM工艺开发联盟(IBM Joint Development Alliance)共同合作,为旗下32奈米低耗电HKMG前闸极(Gate First)制程技术进行调整,进而创造出具有竞争力的先进制程平台,使其逻辑密度达到45奈米制程技术的两倍之多。