3D V-NAN
三星3D V-NAND 闪存架构克服了传统平面 NAND 架构的密度、性能和耐久性局限。3D V-NAND的架构设计通过让32个芯片层彼此垂直堆叠，而不是缩减芯片尺寸并尝试将自身容纳到一个固定的水平空间，因此使得密度更高，性能更好，而占用的空间更小。
极致读取/写入性能
TurboWrite 技术带来无可匹敌的读写速度，优化日常计算性能
借助三星的 TurboWrite 技术，实现终极读写性能，最优化您的日常计算体验。相比840 EVO，您不仅可以获得超过10% 的用户体验提升，而且120/250GB 型号的随机写入速度最高可以提速1.9倍。850 EVO可以提供一流的顺序读取(540MB/s)和写入(520MB/s)性能。此外，在客户端PC使用情况下，您可以获得针对全部 QD 的优化的随机性能。
PCmark7(250GB )：6700(840 EVO) > 7600(850 EVO)
随机写入 (QD32,120GB)：36,000 IOPS(840 EVO) > 88,000 IOPS(850 EVO)
增强的RAPID模式
通过三星Magician 软件，将未使用的PC内存 (DRAM) 用作高速缓存，使得在 Rapid 模式下在系统级别上的数据处理速度提升 2 倍，从而随时实现性能加速。配备 16 GB DRAM 时，最新版的 Magician 可以将先前 840 EVO 版本在Rapid 模式下的最大内存使用从1GB 增加到850 EVO版本中的最大4GB。您还可以在所有随机队列深度下获得2 倍的性能提升。
PCMARK7 RAW(250GB)：7500 > 15000（Rapid 模式）
增强的可靠性
3D V-NAND 技术为耐久性和可靠性带来保障支持
与上一代的 840 EVO相比，850 EVO 的 TBW翻倍，且可以提供业内领先的 5 年质保，因此可以提供耐用性和可靠性保障。对比840 EVO，850 EVO 可以最小化性能下降，从而带来高达30% 的稳定性能提升，业已证明是值得依赖的存储设备。
TBW：已写入的总字节数
TBW：43(840 EVO) > 75(850 EVO 120/250GB)，150(850 EVO 500/1TB)
稳定的性能 (250GB)：3300 IOPS(840 EVO) > 6500 IOPS(850 EVO)，经过12 小时“随机写入”测试得出的性能数据
高效的功耗管理和数据安全性
850 EVO现带有一个已针对 3D V-NAND 做过优化的控制器，让设备在进入休眠状态后可以控制在2mW 超高能效下，大大延长了您的笔记本电脑的电池寿命。与 840 EVO 相比，850 EVO 的写入操作过程可以省电超过25%，这一切都归功于卓越的 3D V-NAND 技术，它的功耗只有平面 2D NAND 的一半。
功耗(250GB)：3.2 瓦 (840 EVO) > 2.4 瓦 (850 EVO)
850 EVO还全副装备了最新的基于硬件的全盘加密引擎。AES 256 位安全加密技术可以安全保护数据，而不会出现通常的性能下降。它符合TCG Opal 2.0 标准，并且还与Microsoft e-drive IEEE1667 标准兼容，因此可以让您的数据始终得到防护，让您高枕无忧。
