三星HBM3E

三星电子HBM3E 12H采用高 k 金属栅极 (HKMG) 等技术，该技术用可减少电流泄漏的材料取代了以前的绝缘层。使用这项最新技术可优化内部电路，提高性能，同时与上一代相比，设备功率效率提高 12%。这款DRAM的性能矩阵还在于它能够产生每针 9.8Gbps 的数据速率，从而实现超快的 1,250GB/s 性能速度。

三星电子HBM3E 12H采用硅通孔 (TSV) 技术对 12 层 24Gb DRAM 芯片进行战略性堆叠，使 HBM3E 拥有惊人的 1,250GB/s 带宽速率和业界领先的每层 36GB 容量。与 8 层 HBM3 前代产品相比，容量提高了 50%。该设备还采用了高级热压缩非导电膜 (TC NCF)，可实现更好的散热，使设备在最佳温度范围内运行。HBM3E 和 HBM3 芯片尺寸相互兼容，可以轻松地将硬件布局从 HBM3 转移到 HBM3E。