SK海力士以DRAM和NAND为坚实基础，在第四次工业革命中全力发掘应对未来融合时代的新增长动力。
SK海力士通过不断研发获得了业内最高水平的精细微工艺技术，并持续研发比现有产品耗电更少且容量和处理速度大幅提升的高容量·高性能·低耗电的高端产品。通过全球率先推出DDR5和扩大HBM等战略产品的市场支配力，SK海力士将进一步巩固引领业界发展的技术领导力。
SK海力士在2018年推出全球首款拥有CTF和PUC架构的“96层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存”，确保了技术竞争力。此后，又通过量产“全球首款128层4D NAND”和成功研发“176层4D NAND”等，持续保持闪存领域的技术优势。为在第四次工业革命时代更加稳定地运营庞大数据，SK海力士将持续提供最佳解决方案。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C 2018-03-14
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK Hynix eMMC 4.5系列 2013-10-16
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱：Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场（ChinaFlashMarket） 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2
