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性能方面,9550 SSD连续读取速度为14.0 GB/s,连续写入速度为10.0 GB/s,与同类竞争SSD 相比,性能提升高达 67%。此外,其 3,300K IOPS 的随机读取速度比竞争产品高出 35%,400K IOPS 的随机写入速度比竞争产品高出 33% 。
P310系列搭载美光232层3D QLC NAND,群联E27T主控,采用12nm工艺制造,四通道DRAM-less设计,顺序读写速度最高可达7100 MB/s和6000 MB/s。
对于每个 DIMM 插槽需要超过128GB 内存的应用程序,MRDIMM表现优于当前的 TSV RDIMM,能够提供最高带宽、最大容量、最低延迟和更高的每瓦性能,传输速率可达8800 MT/s。
美光目前所有量产DRAM芯片均采用DUV光刻机制造,但已于今年开始1γ工艺的EUV技术试生产,并计划于2025年实现量产。
台湾美光20日深夜发布声明称,台中厂火警人员无虞,厂区营运未受任何影响。
根据日经亚洲报道,美光科技正在全球多个生产基地扩建或计划扩建高带宽内存(HBM)产线,以期在AI热潮中获得更多利润丰厚的订单。公司目标是在2025年将HBM领域的市场份额提升至约20%,与公司在DRAM行业的整体营收份额看齐。
美光日前表示,目前正积极强化HBM技术并同步扩充产能,预期能在2025自然年达到约同于美光DRAM市占率的相同水准,也就是约为20-25%。
美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布其下一代GDDR7图形内存开始样品阶段,该产品采用业界最高位密度,并利用1β(1-beta)DRAM技术和创新架构,提供32 Gb/s的高性能内存,同时优化了功耗设计。GDDR7内存提供超过1.5 TB/s的系统带宽,比GDDR6带宽提升高达60%,并具备四个独立通道以优化工作负载,实现更快响应时间、更流畅的游戏体验和缩短处理时间。
美光CZ120内存扩展模块已通过OEM渠道批量供应,未来几个季度供应量将继续增加。
美光近日宣布了一项重大投资计划,将在日本广岛县建设一座新的DRAM芯片制造工厂。根据日媒报导,这座新厂预计最快将于2027年底开始运营。
美国得克萨斯州东区地方法院近日判决美光在同美国存储企业Netlist的专利诉讼中败诉,整体赔偿金额达4.45亿美元。陪审员认定美光侵犯了Netlist的两项存储领域专利,分别需要支付4.25亿美元和2000万美元的补偿。此外,Netlist还与其他存储巨头产生过专利纠纷。
美光高层预测,HBM业务近期的年复合增长率有望高达50%,从8层堆叠升级到12层堆叠的HBM,有望推升2025年度营收。
美光近期已开始向客户提供36GB 12层 HBM3E样品。
美光宣布已根据《CHIPS 和科学法案》签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT),获美国政府拨款 61亿美元。
美光宣布其232 层 QLC NAND产品现已在部分国家实现量产和发货,Crucial ® SSD 已为企业存储客户批量生产,并向 OEM PC 制造商提供 Micron 2500 NMVe TM SSD 样品。