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  • 2026-08-09 03:10

美光最新消息

美光科技宣布由徐国晋出任美光副总裁暨台湾美光董事长,管理美光在台三家子公司,包括台湾美光内存、台湾美光晶圆及台湾美光半导体;并领导美光高量产的DRAM卓越中心,致力在人工智能、机器学习等新兴内存应用领域寻求突破。

美光科技宣布第四代3D NAND存储芯片完成首批流片,新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构,美光表示,新一代产品计划于2020年实现量产,但是仅仅会应用在特定领域中。

美光Q4财季净利润5.6亿美元,不仅环比下滑33%,更是同比大跌了87%,而且宏观经济和贸易的不确定性仍会对产业和市场产生影响,尤其是对华为的限制供货,恐将影响未来几季财报。

美光强调,美光目前全球产能布局原则,是仅提升制程技术,即提升存储产品容量,而不增加晶圆投片,也就是说,晶圆总数与产品数量均不会改变,只是产品容量增加。

美光加大在台湾地区的投资,要在现有中科厂区旁兴建二座晶圆厂生产DRAM,总投资额达4000亿新台币。

BusinessLine和ElectronicsB2B报导,美光准备扩大其位于印度海德拉巴的投资,将目前聘雇的500名研发人力于未来几年内增聘至2,000人。

美光科技宣布开始大规模生产1Znm 16Gb DDR4产品。与上一代1Ynm制程相比,美光的1Znm 16Gb DDR4产品可提供更高的密度,显着的增强性能以及更低的成本。

美光推出业界首款使用1z nm技术,容量高达 16Gb的 LPDDR4X。同时提供基于UFS多芯片封装的uMCP4,功耗更低能有效延长电池寿命,有更小的尺寸能够应用于更薄的外形设计。

美光14日举行新加坡Fab 10A厂扩建完成启用典礼,正式宣布新工厂将在2019下半年开始生产。新Fab 10A工厂是从2018年开始新建,主要用于生产3D NAND。

美光14日宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A扩建。此外,美光亦将加码在台湾DRAM厂投资,台中厂扩建生产线可望在年底前落成。

美光将发行总价值17.5亿美元的优先票据,用以支付给英特尔就收购IM Flash剩余股权事宜。

美光科技公司宣布任命汽车行业执行官MaryAnn Wright为其董事会成员,她将带来巨大的价值,为我们在汽车制造领域,提供高价值解决方案巩固了领先地位。

美光作为DRAM行业的龙头,但是在工艺进度上一直比较稳健,称得上是精打细算,10nm工艺上面更是玩出花样,其中1xnm已经十分成熟,1ynm目前正在扩充产能,生产对象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4颗粒等。

为了进一步改善市场供需,美光决定将NAND Flash晶圆产出减少比例从原来的5%提高到了10%,还将削减2020年资本支出。

美光科技发布截至5月30日的2019财年第三财季财报,该季度营收为47.88亿美元,相比之下去年同期的营收为77.97亿美元;净利润为8.40亿美元,同比下降78%,营业利润10.10亿美元。

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