innodisk SATADOM-ML 3MG2-P
innodisk SATADOM-ML 3MG2-P

采用MLC NAND，SATAIII 6Gb/s接口，DRAM-base设计，提供32GB-256GB容量选择。

宜鼎国际 2017-12-19
innodisk SATADOM-ML 3TG6-P
innodisk SATADOM-ML 3TG6-P

采用3D TLC，SATAIII 6Gb/s接口，DRAM-base设计，提供128GB-256GB容量选择。

宜鼎国际 2017-12-19
innodisk SATADOM-SH type C 3SE4
innodisk SATADOM-SH type C 3SE4

采用SLC NAND，SATAIII 6Gb/s接口，DRAM-less设计，提供8GB-32GB容量选择。

宜鼎国际 2017-12-19
innodisk SATADOM-MH 3ME4
innodisk SATADOM-MH 3ME4

采用MLC NAND，SATAIII 6Gb/s接口，DRAM-less设计，提供32GB-256GB容量选择。

宜鼎国际 2017-12-19
innodisk SATADOM-ML 3SE4
innodisk SATADOM-ML 3SE4

采用SLC NAND，SATAIII 6Gb/s接口，DRAM-less设计，提供8GB-64GB容量选择。

宜鼎国际 2017-12-19
innodisk SATADOM-SH Type D 3ME4
innodisk SATADOM-SH Type D 3ME4

采用MLC NAND，SATAIII 6Gb/s接口，DRAM-less设计，提供8GB-128GB容量选择。

宜鼎国际 2017-12-19
innodisk SATADOM-MV 3IE4
innodisk SATADOM-MV 3IE4

采用iSLC NAND，SATAIII 6Gb/s接口，DRAM-less设计，提供8GB-64GB容量选择。

宜鼎国际 2017-12-19
innodisk SATADOM-ML 3IE4
innodisk SATADOM-ML 3IE4

采用iSLC NAND，SATAIII 6Gb/s接口，DRAM-less设计，提供16GB-128GB容量选择。

宜鼎国际 2017-12-19
至尊超极速SDHC/SDXC UHS-II系列
至尊超极速SDHC/SDXC UHS-II系列

支持超快速的连续拍摄模式与高性能视频录制，拍摄速度260MB/s，传输速度300MB/s。

闪迪 2017-12-12
USB3.0 TransMemory U364
USB3.0 TransMemory U364

32GB，64GB和128GB三种容量选择，最大读取速度可达120MB/s，即插即用，兼容性强。

铠侠 2017-12-12
建兴企业级EPX M.2 SSD系列
建兴企业级EPX M.2 SSD系列

采用M.2 22110规格，东芝64层BiCS3 TLC，搭配Marvell 88SS1093 Eldora，PCI-E 3.0 x4接口，符合NVMe 1.2规

建兴电子 2017-12-11
YS9201 SSD控制芯片
YS9201 SSD控制芯片

采用40nm制程，支持主流厂商的3D MLC/TLC/QLC，PCIe 3.0x2接口，支持Toggle2.0和ONFI 3.x NAND Flash 接口

得一微电子 2017-12-08
建兴MU-X PCIe SSD系列
建兴MU-X PCIe SSD系列

采用PS5008-E8主控以及东芝BiCS 3D TLC NAND，提供128GB和256GB两种容量。

建兴电子 2017-12-08
Sandisk iNAND 7550系列
Sandisk iNAND 7550系列

32GB-256GB容量选择，eMMC 5.1规范，提供260MB/s连续写入性能。

闪迪 2017-12-05
Sandisk iNAND 8521系列
Sandisk iNAND 8521系列

提供32GB-256GB容量，采用UFS 2.1接口和第五代SmartSLC新技术提供加倍的连续写入速度。

闪迪 2017-12-05

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厂商快讯

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⊙06-18 07:47

SK海力士18日宣布，已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。此次新产品较上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

⊙06-17 10:16

据韩媒THE ELEC援引业内人士消息称，ENF Technology已实现半导体制造过程中使用的氢氟酸的本地化生产，并于本月初完成产品质量认证，向SK海力士交付了首批半导体级氢氟酸（HF）。目前，该公司正在通过将其应用于生产流程来验证其稳定性。经过一到两周的初期运行后，从本月底开始，供应量将扩大到包括DRAM在内的主要生产线。

⊙06-17 10:15

据韩媒THE ELEC报道，济州半导体副总裁黄柱元近日会见记者时表示，公司将在SK海力士的晶圆厂生产LPDDR5，作为LPDDR4X的后续产品。LPDDR5量产目标时间为2030年，具体规模尚未最终确定。据报道，济州半导体已与SK海力士签署合同，将在未来几年使用其工厂，生产基地据推测位于中国无锡。

⊙06-16 14:45

铠侠今日在官网宣布其EXCERIA G3 SSD系列推出4TB型号，丰富了PCIe 5.0 产品线的容量选择，预计将于2026年7月上旬开始发售。此次新增的4TB型号采用基于其第八代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的QLC存储器构建，为需要在AI应用和游戏主机环境中配备入门级SSD的用户提供了更多选择。EXCERIA G3 SSD系列的顺序读取速度高达10,000MB/s，顺序写入速度高达9,600MB/s。

⊙06-12 21:14

证监会同意长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。招股书显示，长鑫科技此次 IPO 拟募资 295 亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM 存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。

⊙06-12 17:59

据韩媒inews24援引业内人士消息称，考虑到HBM4E计划于明年量产，客户验证和优化工作必须在今年下半年进行，因此样品供应指日可待。据透露，SK海力士正准备向主要客户提供HBM4E样品，最早可能在本月开始发货，最迟下个月也将开始。

⊙06-12 15:00

在近期的交易日中，铠侠市值曾一度突破 45万亿日元，短暂超越丰田并跃居日本第二。随着股价继续攀升，截至6月12日收盘，铠侠已成功登顶日本企业市值榜首。

⊙06-12 11:55

据韩媒朝鲜日报援引SK海力士和消防部门12日消息，当天上午9点55分（当地时间）左右，位于忠清北道清州市兴德区SK海力士清州园区4号楼M15X二楼发生火灾。火灾发生后，M15和M15X的员工立即疏散到室外。据报道，该公司消防队在初期就扑灭了火灾。清州市发布了灾害警报，建议附近居民避开该区域，车辆绕行，因为担心可能发生氟化物泄漏。消防部门目前正在现场核实是否真的发生了气体泄漏。SK海力士方面表示，已完成初步控制，正调查具体情况，生产设备运行正常。本月1日，SK海力士清州4号园区也曾发生火灾。

⊙06-12 09:45

据外媒报道，谷歌正在开发第十代TPU，代号为“Icefish”，预计最早于2028年投入量产。此前，谷歌的TPU大部分由台积电生产。然而，谷歌计划在第十代TPU中采用台积电的1.4nm工艺生产核心运算芯片，并采用三星的2nm工艺制造其内存I/O Die。此举被解读为，在台积电因AI需求导致产能接近饱和的情况下，谷歌寻求供应链多元化的一种策略。

⊙06-10 14:34

据韩媒报道，韩国半导体设备公司Pemtron今日宣布，近期已从美光科技获得一份新订单，为其提供用于AI服务器的SOCAMM2存储模块的检测设备。 此外，Pemtron还将向中国半导体企业供应半导体封装检测设备。 Pemtron表示，最近这笔订单是在经过全球顶级客户严格的大规模生产线评估后下的，公司已经证明了其检测设备的可靠性和大规模生产的稳定性。

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