SK海力士(SK Hynix) 厂商主页

SK Hynix以生产和提供PC和移动电子产品等IT设备必需的DRAM和NAND Flash为主力产品。随着智能手机和平板等设备日益具增，人们对存储芯片的需求也越来越多，SK Hynix技术发展层层突破，以持续不断的研究投资为基础，对市场需求作出高效、快速回应，快速推出新品、迅速推向市场。

SK海力士存储产品

SK Hynix 3D TLC QDG8M2C
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C

SK Hynix 3D TLC QDG8M2C采用LFBGA封装，提供32GB-256GB多种容量选择。

SK海力士 2018-03-14
SK Hynix 3D TLC QEG8M3M
SK Hynix 3D TLC QEG8M3M

SK Hynix 3D TLC QEG8M3M采用LFBGA封装，提供32GB-512GB多种容量选择。

SK海力士 2018-03-14
SK Hynix 3D TLC QEG8M2A
SK Hynix 3D TLC QEG8M2A

SK Hynix 3D TLC QEG8M2A采用VFBGA封装，提供32GB-512GB多种容量选择。

SK海力士 2018-03-14
SK Hynix PC401 M.2系列
SK Hynix PC401 M.2系列

采用PCIe 3.0 x4通道，M.2 2280规格形态，256GB、512GB、1TB三种容量选择，顺序读写最高可达2700MB/s、1450

SK海力士 2018-03-13
SK Hynix PC300 M.2系列
SK Hynix PC300 M.2系列

M.2 2280规格，容量128GB、256GB、512GB、1TB，传输通道走PCIe 3.0 x4并支持NVMe。

SK海力士 2016-08-18
SK海力士UFS2.1系列
SK海力士UFS2.1系列

容量提供32GB-128GB，首次采用3D-V2和控制芯片，具有高效的传输速率。

SK海力士 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列
SK Hynix eMMC 5.1系列

符合eMMC5.1 规范，容量8GB-128GB，采用1ynm和3D NAND，较eMMC5.0性能更高。

SK海力士 2016-06-08
SK Hynix SL308系列
SK Hynix SL308系列

采用SK海力士TLC NAND Flash，SATAIII接口，仅提供2.5inch形态，容量有120GB/250GB/500GB，读速高达560MB/s

SK海力士 2016-05-17
SC300系列M.2 2280 SSD
SC300系列M.2 2280 SSD

采用1xnm NAND Flash，提供128GB-512GB容量，采用M.2接口标准，具有SATA6.0Gbps接口速度。

SK海力士 2016-03-02
SK海力士 DDR4 DRAM
SK海力士 DDR4 DRAM

SK海力士DDR4有4Gb,8Gb,16Gb三种容量，数据处理速率为最高为3200Mbps

SK海力士 2016-01-26
SK Hynix SL301系列
SK Hynix SL301系列

采用SK海力士TLC 16nm NAND Flash，SATAIII接口，仅提供2.5inch形态，容量有250GB/500GB，读速高达540MB/s

SK海力士 2015-10-19
SC300系列2.5inch SSD
SC300系列2.5inch SSD

采用SK海力士1xnm MLCNAND Flash，SATAIII接口，128GB~512GB容量，读速高达550MB/s，写速高达480MB/s

SK海力士 2015-07-31
SK海力士UFS2.0系列
SK海力士UFS2.0系列

容量提供16GB-64GB，采用自家NAND Flash和控制芯片，具有高效的传输速率。

SK海力士 2015-07-09
SC300系列 mSATA SSD
SC300系列 mSATA SSD

采用1xnm NAND Flash，提供128GB-512GB容量，采用mSATA接口标准，具有SATA 6Gbps接口速度。

SK海力士 2014-12-24
SK Hynix PC200 M.2系列
SK Hynix PC200 M.2系列

提供128GB-512GB容量，采用1xnm Flash，M.2接口标准，具有SATA 6Gbps接口速度。

SK海力士 2014-11-19

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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