SK海力士 DDR4 DRAM

SK海力士DDR4有4Gb,8Gb,16Gb三种容量，数据处理速率为最高为3200Mbps

产品分类：内存芯片 品牌：SK海力士
应用领域： 电信 内存条
产品白皮书 发布于：2016-01-26
SK海力士 DDR4 DRAM 共34个产品
型号 容量 架构 传输速率 封装
H5ANBG6NAMR-XNC 32Gb x16 3200Mbps FBGA
H5ANBG6NAMR-WMC 32Gb x16 2933Mbps FBGA
H5ANBG6NAMR-VKC 32Gb x16 2666Mbps FBGA
H5ANBG8NABR-XNC 32Gb x8 3200Mbps FBGA
H5ANBG8NABR-WMC 32Gb x8 2933Mbps FBGA
H5ANBG8NABR-VKC 32Gb x8 2666Mbps FBGA
H5ANAG6NCJR-XNC 16Gb x16 3200Mbps FCBGA
H5ANAG6NCMR-XNC 16Gb x16 3200Mbps FBGA
H5ANAG6NDMR-XNC 16Gb x16 3200Mbps FBGA
H5ANAG6NCJR-WMC 16Gb x16 2933Mbps FCBGA
H5ANAG6NDMR-WMC 16Gb x16 2933Mbps FBGA
H5ANAG6NCMR-WMC 16Gb x16 2933Mbps FBGA
H5ANAG6NCJR-VKC 16Gb x16 2666Mbps FBGA
H5ANAG6NCJR-VKC 16Gb x16 2666Mbps FCBGA
H5ANAG6NDMR-VKC 16Gb x16 2666Mbps FBGA
H5ANAG6NCMR-VKC 16Gb x16 2666Mbps FBGA
H5ANAG8NCMR-XNC 16Gb x8 3200Mbps FBGA
H5ANAG8NDMR-XNC 16Gb x8 3200Mbps FBGA
H5ANAG8NCMR-WMC 16Gb x8 2933Mbps FBGA
H5ANAG8NDMR-WMC 16Gb x8 2933Mbps FBGA
H5ANAG8NDMR-VKC 16Gb x8 2666Mbps FBGA
H5ANAG8NCMR-VKC 16Gb x8 2666Mbps FBGA
H5AN8G6NCJR-XNC 8Gb x16 3200Mbps FCBGA
H5AN8G6NDJR-XNC 8Gb x16 3200Mbps FCBGA
H5AN8G6NCJR-WMC 8Gb x16 2933Mbps FCBGA
H5AN8G6NDJR-WMC 8Gb x16 2933Mbps FCBGA
H5AN8G6NCJR-VKC 8Gb x16 2666Mbps FCBGA
H5AN8G6NDJR-VKC 8Gb x16 2666Mbps FCBGA
H5AN8G8NCJR-XNC 8Gb x8 3200Mbps FCBGA
H5AN8G8NDJR-XNC 8Gb x8 3200Mbps FCBGA
H5AN8G8NDJR-WMC 8Gb x8 2933Mbps FCBGA
H5AN8G8NCJR-WMC 8Gb x8 2933Mbps FCBGA
H5AN8G8NDJR-VKC 8Gb x8 2666Mbps FCBGA
H5AN8G8NCJR-VKC 8Gb x8 2666Mbps FCBGA

产品概览

 DDR4 提供 3200MT/s 的带宽，同时比 DDR2 低 3% 的工作电压，为下一代企业应用提供强大的性能，同时节省功耗并降低总体拥有成本。

随着云计算和大数据分析的出现，数据处理速度越来越快，这要求当今的 IT 系统具有更高密度和性能的内存。SK海力士DDR4可满足此类需求，为每个系统提供先进的速度选项，并具有经过验证的可靠性、可用性和可维护性 (RAS) 的额外优势。

同品牌新品 更多

同分类新品 更多

SK海力士

报价中心

厂商新品

更多

厂商快讯

更多
⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

厂商动态

更多

最新财报

更多