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三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。

三星存储产品

Samsung SD Pro系列

提供16GB-64GB，传输读写速度分别高达每秒90MB/s、80MB/s，适用于笔记本、相机等产品存储。

三星 2015-05-06

mSATA/M.2 850 EVO系列

采用3D V-NAND，容量提供120GB-1TB，mSATA和M.2设计适用于超薄型个人计算机(PC)产品。

三星 2015-04-01

三星UFS2.0系列

提供16GB-256GB容量，符合UFS2.0协议规范，适合智能型手机、平板、Smart TV等产品应用。

三星 2015-02-26

Samsung eMMC 5.1 MLC系列

容量从16GB-128GB，采用2bit NAND Flash，符合eMMC 5.1规范，适于智能手机、Smart TV、游戏机等存储应用。

三星 2015-02-18

三星eMMC 5.1 TLC系列

容量从32GB-128GB，采用3bit NAND Flash，符合eMMC 5.1规范，适于智能手机、Smart TV、游戏机等存储应用。

三星 2015-02-18

便携式SSD T1系列

提供250GB-1TB容量，USB3.0接口，是一款采用V-NAND技术的便携式SSD

三星 2015-01-20

Samsung 850 EVO系列

采用3D V-NAND，MEX &MGX&MHX控制器，SATA6Gbps传输接口，容量提供120GB-4TB容量，读取540MB/s和写入520MB/

三星 2014-12-09

Samsung eMCP LPDDR3系列

eMMC存储容量从8GB-32GB，LPDDR3容量8Gb-24Gb，主要用于高端的智能型手机上。

三星 2014-10-16

Samsung 845DC EVO/Pro系列

采用TLC/3D NAND，SATA6Gbps传输，400GB-960GB容量用于数据中心存储，读取530MB/s和写入410MB/s。

三星 2014-08-18

Samsung 850 Pro系列

采用最先进的32层3D V-NAND技术和三核心MEX主控，提供128GB-1TB容量，读写分别最高达550MB/s、520MB/s。

三星 2014-07-01

Samsung eMMC 5.0车用系列

容量从8GB-64GB，采用MLC NAND Flash，具有较高的耐高低温特性，适合车载等高温度存储要求的领域。

三星 2014-05-20

Samsung EVO Micro SD系列

存储容量从4GB-64GB不等，根据不同客户的存储需求，速度等级从Class 6-10，最高读取速度达90MB/s。

三星 2014-03-28

Samsung EVO SD系列

存储容量从4GB-64GB不等，根据不同客户的存储需求，速度等级从Class 6-10，最高读取速度达90MB/s。

三星 2014-03-20

Samsung eMMC 5.0 MLC系列

容量从8GB-128GB，采用2bit MLC NAND Flash，符合eMMC 5.0规范，适于智能手机、平板、Smart TV等存储应用。

三星 2014-03-12

Samsung eMMC 5.0 TLC系列

容量从8GB-64GB，采用3bit MLC NAND Flash，符合eMMC 5.0规范，适于智能手机、平板、Smart TV等存储应用。

三星 2014-03-12

报价中心

厂商快讯

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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