Toshiba 3D QLC TGF23
Toshiba 3D QLC TGF23

Toshiba 3D QLC TGF23采用BGA封装，提供192GB存储容量选择。

铠侠 2018-06-14
Toshiba RC100系列
Toshiba RC100系列

采用BiCS 3D FLASH ，PCIe Gen3x2接口，符合NVMe 1.2.1规范，提供120GB、240GB、480GB三种容量选择。

铠侠 2018-06-13
Marvell 88SS1084 SSD控制芯片
Marvell 88SS1084 SSD控制芯片

采用通用硬件和固件控制芯片架构，支持4通道，PCIe Gen3 x4 接口，可提供高达3.6GB / s的带宽和每秒高达700

美满 2018-06-06
Marvell 88SS1100 SSD控制芯片
Marvell 88SS1100 SSD控制芯片

支持8通道，PCIe Gen3 x4 接口，可提供高达3.6GB / s的带宽和每秒高达700,000 IOPS。

美满 2018-06-06
YS9083XT SSD控制芯片
YS9083XT SSD控制芯片

支持主流厂商的1x/1y/1z nm 2D NAND和3D MLC/TLC/QLC NAND，支持SATA3.2协议。

得一微电子 2018-06-05
SiS750 SSD控制芯片
SiS750 SSD控制芯片

支持2D/3D TLC NAND，SATA 3.0 6Gb/s接口，读取与写入性能分别550MB/s和500MB/s。

矽统科技 2018-06-01
SiS850 SSD控制芯片
SiS850 SSD控制芯片

支持PCIe3.0x4通道，符合NVMe 1.3协议规范，FLASH接口可达八信道，支持32位 DRAM缓存高效传输。

矽统科技 2018-06-01
SiS P120系列SSD
SiS P120系列SSD

采用3D NAND，SATA III接口，顺序读写速度最大可达560 MB/s、510 MB/s。

矽统科技 2018-06-01
SiS S348系列SSD
SiS S348系列SSD

采用3D NAND，PCIe Gen3 x 4接口，带32bit DRAM，M.2 2280规格形态，256GB/512GB/1TB三种容量选择。

矽统科技 2018-06-01
SiS E344系列SSD
SiS E344系列SSD

采用3D NAND，PCIe Gen3 x 4接口，M.2 2280规格形态，128GB/256GB/512GB三种容量选择。

矽统科技 2018-06-01
SiS E324系列SSD
SiS E324系列SSD

采用3D NAND FLASH，PCIe Gen3 X 2接口，M.2 2280形态，顺序读写速度最高1600MB/s 及 1200MB/s。

矽统科技 2018-06-01
SiS M250系列SSD
SiS M250系列SSD

采用3D NAND，SATA III接口，M.2 2280形态，256GB/512GB两种容量选择，顺序读写速度最大可达560MB/s、520MB

矽统科技 2018-06-01
SiS832 SSD控制芯片
SiS832 SSD控制芯片

支持PCIe3.0x4通道，符合NVMe 1.3协议规范，FLASH接口可达四信道，支持16位DRAM缓存高效传输。

矽统科技 2018-06-01
SiS750GT SSD控制芯片
SiS750GT SSD控制芯片

支持2D/3D TLC NAND，SATA 3.0 6Gb/s接口，读取与写入性能分别550MB/s和500MB/s。

矽统科技 2018-06-01
SiS C344系列SSD
SiS C344系列SSD

采用3D NAND FLASH，PCIe Gen3 X 2接口，M.2 2280形态，提供120GB/240GB/360GB/480GB四种容量选择。

矽统科技 2018-06-01

报价中心

厂商快讯

更多
⊙01-19 19:04

南亚科技2025Q4营业收入达 300.94 亿新台币，环比增长 60.3%，季度 DRAM ASP（平均售价）环比增长超三成，销售规模亦增长超 10%；毛利率达到 49.0%，相较 Q3 提升 30.5 个百分点；营业利润率达 39.1%，相较 Q3 提升 33.1 个百分点。南亚科预计2026 年资本支出约 500 亿新台币，作为对比，该司 2025年实际支出仅134 亿新台币。

⊙01-19 10:35

美光宣布，将以18亿美元收购力积电位于台湾苗栗县桐洛的P5晶圆厂。据双方近期签署的意向书显示，此次收购预计将于第二季度完成，收购完成后，美光将从明年下半年开始获得相当可观的DRAM产能。此外，美光将和力积电建立DRAM先进封装的长期晶圆代工关系，美光也将协助力积电在新竹P3厂精进现有利基型DRAM制程技术。

⊙01-19 10:30

SK海力士最新推出的LPDDR5X车用DRAM产品荣获ASIL-D（汽车安全完整性等级D）认证，这是国际汽车功能安全标准ISO 26262下的最高安全等级。

⊙01-16 16:56

据韩媒报道，熟知三星电子内情的相关人士透露，近期三星电子1c DRAM良率已接近60%，该良率确保了超过盈亏平衡点。

⊙01-15 14:57

受惠存储价格走扬与需求回温，宜鼎国际2025年第四季度单季营收达48.06亿元（新台币，下同），环比增长26.25%，同比增长115.74%，带动全年营收达142.61亿元，同比增长近六成，创下历史新高。展望今年第一季，宜鼎看好整体需求动能延续，DRAM 与NAND Flash 价格皆持续上扬，其中Flash价格自去年第三季才开始反映供需变化，涨势仍在加速阶段，首季涨幅可望与DRAM 相当。

⊙01-15 14:25

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

⊙01-15 14:04

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

⊙01-15 11:05

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

⊙01-15 09:38

台媒报道，威刚科技宣布投资1亿美元（约合新台币31.4亿元/人民币6.97亿元），从The Film Property Trust收购Weta FX Limited普通股1,366.75万股，每股作价7.3166美元。交易完成后，威刚将持有Weta FX 25%的股权，成为其重要战略股东。此项投资主要着眼于人工智能（AI）技术在影视内容、数字特效及虚拟制作等领域的长期发展潜力，以切入AI内容应用的新蓝海市场。

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

厂商动态

更多

最新财报

更多

厂商新品

更多