Marvell 宣布推出基于行业领先的5纳米PAM4技术的新一代Alaska® P PCIe Retimer产品线,旨在扩展数据中心计算结构内的连接性,以支持加速服务器、通用服务器、CXL系统和分离式基础设施。新产品线包括8和16通道PCIe Gen 6 Retimer,连接AI加速器、GPU、CPU以及其他服务器组件,以满足AI和机器学习应用对高速连接的需求。
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目前规划一厂集中生产工控及物联网存储模组、二厂则配置AI系统、周边产品及视觉辨识相机模组的产线。
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Marvell首席执行官Matt Murphy表示,虽然短期内面临挑战,但受数据中心持续增长以及企业网络和运营商基础设施开始复苏的推动,他对公司本财年下半年的形势持乐观态度。
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对于第2季度营收预估,力成此前目标季成长中个位数百分比(约5-6%),有机会挑战高个位数百分比(约7-9%),下半年新产品逐渐贡献营收,看好AI服务器应用强劲。
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慧荣科技推出SM2322主控芯片SM2322,支持QLC NAND,提供高达8TB的容量和20Gbps的数据传输速度,适用于外置便携式SSD解决方案,已向多家客户提供样品,将于今年中期投入量产。
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美光CZ120内存扩展模块已通过OEM渠道批量供应,未来几个季度供应量将继续增加。
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随着DRAM微细化的持续发展,SK海力士、三星电子等企业正积极开发并应用新型材料。特别是对于下一代光刻胶(Photoresist, PR)之一的金属氧化物光刻胶(Metal Oxide Resist, MOR)表现出了浓厚的兴趣。SK海力士在下一代DRAM量产中采用了极紫外光(EUV)用MOR,三星电子也在考虑应用EUV用MOR。DRAM量产中使用MOR尚属首次。
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南亚科技表示,从市场总需求位元数来看,HBM比例低于5%,较不适合南亚科技开发竞争。但对于HBM带动存储市况及价格成长的现象,李培英表示乐观其成,并认为将持续到明年。
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据韩媒报道,三星与KAIST等研究机构合作,正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。
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美光近日宣布了一项重大投资计划,将在日本广岛县建设一座新的DRAM芯片制造工厂。根据日媒报导,这座新厂预计最快将于2027年底开始运营。
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苟嘉章尤其看好大陆AI手机的发展进程将会领先全球,强调其生成式AI手机正在打造自己的云端生态系统,更跨足车联网系统,使手机成为很重要的载体,在2024年下半年到2025年就会看到更多新兴应用。
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美国得克萨斯州东区地方法院近日判决美光在同美国存储企业Netlist的专利诉讼中败诉,整体赔偿金额达4.45亿美元。陪审员认定美光侵犯了Netlist的两项存储领域专利,分别需要支付4.25亿美元和2000万美元的补偿。此外,Netlist还与其他存储巨头产生过专利纠纷。
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美光高层预测,HBM业务近期的年复合增长率有望高达50%,从8层堆叠升级到12层堆叠的HBM,有望推升2025年度营收。
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SK海力士母公司SK集团会长崔泰源透露,公司正在研究在日本和美国等国家建设高带宽存储(HBM)工厂的可能性,以应对人工智能(AI)对高性能芯片的激增需求。同时,SK海力士强调清洁能源采购在选址过程中的重要性,并计划加强与日本芯片制造商的合作。
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