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与上一代 NAND 一样,美光G9 NAND采用紧凑的11.5 毫米 x 13.5 毫米封装,占用空间比竞争产品减少 28%,是目前最小的高密度 NAND。

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按产品线区分,逻辑营收比重不断提升,第二季已经提升至40%,NAND约27%,DRAM 24%,SiP/Module 约9%。

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吴大畏先生在演讲中,探讨了存储芯片和AI端侧设备未来应用的方向,这些方向虽不一定都会成为未来,但无疑具有引领市场的潜力,可能预示着真实的未来趋势。

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SK海力士的GDDR7实现了高达32Gbps(每秒32千兆字节)的运行速度,其与前一代相比提高了60%以上,根据使用环境速度最高可达40Gbps。该产品搭载于最新款显卡上,可支持每秒1.5TB(太字节)以上的数据处理,其相当于在1秒内可处理300部全高清(Full-HD)级电影(5GB)。

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据韩媒韩国经济日报(hankyung)报道,NAND闪存与固态硬盘公司Solidigm或将在美国进行首次公开募股(IPO)。

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佰维存储成功斩获“2024最具价值科创板上市公司”与“2024科创板上市企业最佳董秘”双项荣誉。

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三星电子计划将其高带宽存储器(HBM)的组装检测工艺外包给子公司STeco,以应对产能需求和改善生产效率。STeco将投资335亿韩元用于新业务的基础设施投资,预计2025年内完成投资。此举可能标志着三星电子HBM产品后道工序的外包化。

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SK海力士计划在龙仁首座工厂生产以HBM为代表的面向AI的存储器和新一代DRAM产品,也将根据竣工时的市场需求,做好生产另外产品的准备。

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长电微电子晶圆级微系统集成高端制造项目总投资额100亿元,一期建成后,可达年产60亿颗高端先进封装芯片的生产能力。

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得一微电子致力于在存储控制、存算一体、存算互联等前沿领域保持技术领先地位,为数据中心、云计算、人工智能等领域提供更加高效、可靠的存储解决方案。公司自主掌握所有存储控制器的核心IP,正在利用AI技术实现对存储介质的智能化管理,提升数据的访问效率,并加大在计算存储领域的投入,推动存储芯片与计算技术的深度融合。

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日月光投控今年资本支出主要用于先进封装与先进测试,其中,53%用于封装、38%用于测试、1%为材料、8%为EMS。

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SK海力士此次实现了季度收入创历史新高,大幅超过在2022年第二季度实现的13.8110万亿韩元记录。营业利润也是继半导体超级繁荣期的2018年第二季度(5.5739万亿韩元)、第三季度(6.4724万亿韩元)之后时隔6年创下了5万亿韩元水平的业绩。

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按产品线分,该财季HDD营收17.27亿美元,环比增长17%,同比增长25%,系统、SSD及其他营收1.6亿美元,环比减少10%,同比减少27%。

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性能方面,9550 SSD连续读取速度为14.0 GB/s,连续写入速度为10.0 GB/s,与同类竞争SSD 相比,性能提升高达 67%。此外,其 3,300K IOPS 的随机读取速度比竞争产品高出 35%,400K IOPS 的随机写入速度比竞争产品高出 33% 。

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三星电子计划将平泽四厂(P4)转换为DRAM专用生产线,以应对通用DRAM的潜在供应短缺问题。

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