通过这项技术，这两家公司将适用于大容量的选择器与磁隧道结的单元技术相结合，并应用交叉点型阵列的精细加工技术，在20.5nm的单元半间距范围内实现了MRAM有史以来最小的单元读/写操作。

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南亚科技与铠侠将将联合推出使用氧化物半导体的垂直晶体管 DRAM 技术，专注于降低功耗并实现极低的漏电流。

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得一微电子旗下全资子公司深圳市硅格半导体有限公司（以下简称“硅格半导体”）与广东工业大学（以下简称：广工大）携手多家校企合作单位，联合研发的“高性能大容量固态存储控制器关键技术研发及应用”项目，荣获2023年度“广东省科学技术奖科技进步奖一等奖”。

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在得一微看来，未来，具备更大容量、更强带宽的车用SSD，如PCIe 3.0、PCIe 4.0等将逐渐崭露头角。同时，智能汽车对存储容量的需求也在快速增长。2021年单车存储平均容量仅为34GB，预计到2026年，这一数字将跃升到483GB以上，甚至可能超过智能手机的平均存储容量需求。

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根据相关协议， Solidigm将在2025年第一季度结束前完全切换到发售使用Solidigm品牌的驱动器，不再制造/出货贴有英特尔标签的产品。

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西部数据否认专利侵权指控，并表示强烈反对判决结果，计划通过庭审后动议对判决结果提出上诉。

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德明利在应对当前半导体行业发展放缓和摩尔定律物理极限的双重挑战下，通过积极的探索与实践，以存算一体化技术为核心的战略满足先进算力需求，涵盖了从芯片底层算法的开发到终端应用的适配，旨在为客户提供一站式、全链路的存储解决方案，以应对人工智能领域对高性能芯片的迫切需求。

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三星电子128GB CMM-D产品基于12nm级32Gb DDR5 DRAM和 Montage 的下一代控制器，与上一代产品相比，带宽提高10%，延迟降低20%。

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江波龙PTM商业模式通过技术定制与联合创新，结合高质量的智能制造，采用存储界的Foundry模式，为高端客户提供全栈定制化服务，实现快速交付存储产品的目标。

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该系列产品读取速度可达1050MB/s，写入速度可达1000MB/s， 采用USB 3.2 Gen 2 10Gbps Type-C接口，并拥有500GB、1TB和2TB三种容量可选。

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24Gb GDDR7采用了第五代10纳米级DRAM制程技术，在相同封装尺寸下提高了电池集成度，与之前的产品相比，容量增加了50%；通过脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，使其速度在图形DRAM中达到40Gbps，根据使用环境的不同，其性能可进一步提升至最高42.5Gbps。

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10月22-25日，佰维存储将携全面的工车规存储解决方案亮相 2024中国国际社会公共安全产品博览会。

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这些解决方案旨在提供更高的速度稳定性、更快的下载速度和更好的刷新率，代表了下一代PC内存外形的全新前沿。

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KIOXIA XD8 系列专为云和超大规模环境而设计，可满足数据中心对更高性能、更高效率和更高可扩展性的日益增长的需求。新硬盘使云提供商和超大规模企业能够优化其基础设施，在保持运营效率的同时提供卓越的性能。

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西部数据DC SN861 SSD容量高达16TB，与上一代产品相比，其随机读取性能提升3倍，具有超低延迟和出色的响应能力，适用于 LLM 训练、推理和 AI 服务部署。

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