华邦电子：8月营收环比略减1.21%，4Gb DDR4和LPDDR4是下半年营运重点

发布于：2024-09-10 来源：CFM闪存市场

对于未来展望，华邦电子表示，NOR接近供需平衡的状态预计将持续今年全年，上半年各渠道的SLC NAND存货需要时间消化；预计2025年供需将吃紧；强劲的AI需求使主要供货商专注于HBM和主流DRAM，利基型DRAM供应将减少...

京元电子：8月营收环比基本持平，AI GPU及ASIC营收占比将达15%

发布于：2024-09-09 来源：网络

展望后市，法人表示，京元电子掌握AI大客户订单，目前AI贡献营收比重已突破1成，受惠客户持续追单，看好下半年营收逐季向上。

威刚：8月营收环比基本持平，对DRAM市况维持乐观

发布于：2024-09-09 来源：CFM闪存市场

威刚表示，第3季营收有望维持稳定，在过去几季低价库存优势加持下，预计单季毛利率与营运绩效仍将维持不错表现。

美光量产12层堆叠36GB HBM3E：内存带宽1.2TB/s以上

发布于：2024-09-06 来源：CFM闪存市场

据CFM闪存市场了解，SK海力士预计将在9月底开始量产12层HBM3E，三星12层HBM3E芯片已完成量产准备，计划于今年下半年开始供货。

三星电子公布DDR发展路线图

发布于：2024-09-06 来源：CFM闪存市场

三星计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存，该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品。随后在2026年，三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存，同样提供最大32Gb的颗粒容量。

消息称SK海力士明年HBM产能将达15万片/月，未来将专注最先进HBM产品

发布于：2024-09-06 来源：CFM闪存市场

SK海力士未来将计划专注于最先进的HBM产品，希望将大部分产能集中在最新一代HBM上，同时逐步淘汰旧产品。

南亚科技：预计全年DRAM量价齐升，出货量年增逾20％！

发布于：2024-09-05 来源：CFM闪存市场

南亚科技预计2025年底，1B制程月产能将超过20K片，而20nm旧制程月产能将下降至约36K片，1C制程EUV技术正在规划中。

三星电子制定“交钥匙”方案，助力客户自主设计HBM

发布于：2024-09-05 来源：网络

三星电子能够提供从内存、代工制程到封装的一条龙服务，并与广泛的生态系统合作伙伴一起，满足客户的不同需求。

SK海力士预计9月底量产12层HBM3E，同时推动HBM和SSD主控定制化

发布于：2024-09-05 来源：CFM闪存市场

SK海力士预计将在本月底开始量产12层高带宽存储器（HBM3E），并计划与台积电合作生产下一代HBM4产品。

SK海力士：明年下半年出货12层HBM4，HBM4 16层将采用MR-MUF工艺

发布于：2024-09-04 来源：CFM闪存市场

SK海力士在8层HBM3和HBM3E产品中采用MR-MUF技术，在12层产品中采用了Advanced MR-MUF技术，并将在明年下半年出货的12层HBM4产品中采用Advanced MR-MUF技术进行量产。