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三星电子DS部门存储器业务的总裁兼总经理Jungbae Lee展示了三星电子未来内存产品的发展蓝图。根据这一路线图，三星计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存，该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品。随后在2026年，三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存，同样提供最大32Gb的颗粒容量。

展望2027年，三星电子将迈入10nm以下级DRAM制程节点，届时将发布采用0a nm工艺的DDR内存产品，并且内存单颗粒的容量将显著提升至48Gb，即6GB。此外，三星还介绍了LPDDR5-PIM产品，这是一种整合了计算单元的存储介质，能够显著提升系统的能效和性能。

在HBM内存领域，三星电子也明确了其下一代产品HBM4E将于2026年推出，这一进度与竞争对手SK海力士相当。随着这些先进技术的推出，三星电子在内存领域的领导地位有望得到进一步巩固，同时也将为整个半导体行业带来新的增长动力。