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三星

Samsung 三星一直处于创新的最前沿,致力于钻研创新性技术,不断推出新产品,迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位,而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力,承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。 http://www.samsung.com

嵌入式

  • 三星LPDDR5X DRAM三星LPDDR5X DRAM

    与上一代产品相比,三星10.7Gbps LPDDR5X性能提高了25%以上,容量提高了30%以上。三星 2024-03-22

  • Samsung UFS 4.0Samsung UFS 4.0

    三星UFS 4.0使用176 层第7代V-NAND,提供 4200MB/s 的顺序读取速度和2800 MB/s的顺序写入速度三星 2022-05-25

  • 三星eUFS3.1三星eUFS3.1

    采用第五代V-NAND,其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍,提供512GB、256GB和128GB容量选择。三星 2020-03-17

  • 三星eUFS 3.0三星eUFS 3.0

    采用512Gb V-NAND,集成高性能控制器,提供128GB和512GB容量。三星 2019-02-27

  • 三星eUFS 2.1三星eUFS 2.1

    采用第五代512Gb V-NAND,最大容量1TB,尺寸大小11.5mm x 13.0mm。三星 2019-01-30

  • 三星UFS2.0系列三星UFS2.0系列

    提供16GB-256GB容量,符合UFS2.0协议规范,适合智能型手机、平板、Smart TV等产品应用。三星 2015-02-26

  • 三星eMMC 5.1 TLC系列三星eMMC 5.1 TLC系列

    容量从32GB-128GB,采用3bit NAND Flash,符合eMMC 5.1规范,适于智能手机、Smart TV、游戏机等存储应用。三星 2015-02-18

  • Samsung eMMC 5.1 MLC系列Samsung eMMC 5.1 MLC系列

    容量从16GB-128GB,采用2bit NAND Flash,符合eMMC 5.1规范,适于智能手机、Smart TV、游戏机等存储应用。三星 2015-02-18

  • Samsung eMCP LPDDR3系列Samsung eMCP LPDDR3系列

    eMMC存储容量从8GB-32GB,LPDDR3容量8Gb-24Gb,主要用于高端的智能型手机上。三星 2014-10-16

  • Samsung eMMC 5.0车用系列Samsung eMMC 5.0车用系列

    容量从8GB-64GB,采用MLC NAND Flash,具有较高的耐高低温特性,适合车载等高温度存储要求的领域。三星 2014-05-20

  • Samsung eMMC 5.0 TLC系列Samsung eMMC 5.0 TLC系列

    容量从8GB-64GB,采用3bit MLC NAND Flash,符合eMMC 5.0规范,适于智能手机、平板、Smart TV等存储应用。三星 2014-03-12

  • Samsung eMMC 5.0 MLC系列Samsung eMMC 5.0 MLC系列

    容量从8GB-128GB,采用2bit MLC NAND Flash,符合eMMC 5.0规范,适于智能手机、平板、Smart TV等存储应用。三星 2014-03-12

  • Samsung eMMC 5.0系列Samsung eMMC 5.0系列

    容量从4GB-64GB,采用自家的控制芯片和NAND Flash,符合eMMC 5.0规范,适于智能手机和平板等移动设备。三星 2013-09-10

  • Samsung eMMC 4.5系列Samsung eMMC 4.5系列

    容量从16GB-128GB,采用自家的控制芯片和NAND Flash,符合eMMC 4.5规范,适用于智能型手机和平板电脑等。三星 2013-07-31

  • Samsung eMCP LPDDR 2系列Samsung eMCP LPDDR 2系列

    是一颗eMMC芯片加一颗低功耗的LPDDR 2,多种搭配方案满足不同需求的客户,用于中低端智能型手机上。三星 2013-07-25

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