| 型号 | 容量 | 接口 | 规范 | 速度(读) | 速度(写) | 其他 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KLUGGAR1FA-B2C1 | 1TB | HS400 | UFS 2.1 | 最高1000MB/秒 | 最高260MB/秒 | 查看
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| KLUFG8R1EM-B0C1 | 512GB | G3 2Lane | UFS 2.1 | 最高860MB/秒 | 最高150MB/秒 | 查看
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| KLUEGAJ1ZD-B0CQ | 256GB | G3 2Lane | UFS 2.1 | 最高880MB/秒 | 最高200MB/秒 | 查看
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| KLUEGAJ1ZD-B0CP | 256GB | G3 2Lane | UFS 2.1 | 最高880MB/秒 | 最高200MB/秒 | 查看
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| KLUEG8U1EA-B0C1 | 256GB | G3 2Lane | UFS 2.1 | 最高880MB/秒 | 最高200MB/秒 | 查看
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| KLUDG8J1ZD-B0CQ | 128GB | G3 2Lane | UFS 2.1 | 最高880MB/秒 | 最高200MB/秒 | 查看
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| KLUDG8J1ZD-B0CP | 128GB | G3 2Lane | UFS 2.1 | 最高880MB/秒 | 最高200MB/秒 | 查看
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| KLUDG4U1EA-B0C1 | 128GB | G3 2Lane | UFS 2.1 | 最高880MB/秒 | 最高200MB/秒 | 查看
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| KLUCG4J1ZD-B0CP | 64GB | G3 2Lane | UFS 2.1 | 最高880MB/秒 | 最高200MB/秒 | 查看
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| KLUCG4J1ED-B0C1 | 64GB | G3 2Lane | UFS 2.1 | 最高880MB/秒 | 最高200MB/秒 | 查看
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| KLUCG2K1EA-B0C1 | 64GB | G3 2Lane | UFS 2.1 | 最高880MB/秒 | 最高200MB/秒 | 查看
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| KLUBG4G1ZF-B0CQ | 32GB | G3 2Lane | UFS 2.1 | 最高880MB/秒 | 最高200MB/秒 | 查看
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| KLUBG4G1ZF-B0CP | 32GB | G3 2Lane | UFS 2.1 | 最高880MB/秒 | 最高200MB/秒 | 查看
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三星新的1TB eUFS 2.1由16颗512Gb V-NAND和新开发的三星专有控制器封装在一起，尺寸大小11.5mm x 13.0mm。用于满足下一代高端智能型手机、高端平板、5G手机等移动设备产品对容量需求的增长。
性能方面，三星eUFS顺序读取速度高达1,000MB/s，顺序写入速度为260MB/s，相较于512GB在顺序读取速度上提高了16%；随机读取速度为58K IOPS，随机写入速度为50K IOPS，相较于512GB在随机读取速度上提高了38％。
三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。
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