配备下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，数据输入/输出速度最高可达3.2Gbps。

采用六平面NAND架构，可实现更高的并行度，并增加同时向NAND发出的读写命令数量。

与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高12%、13%，数据读取能效也提高10%以上。

传输速度可达3.6GB/s，采用紧凑的11.5 毫米 x 13.5 毫米封装。

每引脚最大数据速率为9.2Gbps，最大带宽超过每秒1.18TB，最大容量为36GB。

凭借突破性的12层堆叠技术，三星36GB HBM3E 12H实现了50%的密度提升和53%的性能提升。

美光HBM3E功耗比竞争对手低30%，可提供超过1.2TB/s的带宽和卓越的能效。

可提供24GB容量，处理速度高达6.4Gbps，带宽达到 819GB/s。

采用闪迪 BiCS8 TLC 3D CBA NAND，顺序读取速度高达14,900MB/s，顺序写入最高可达14,000MB/s。

采用5.0 x4接口, 符合NVMe?2.0规范，提供1TB、2TB、4TB、8TB四个版本可供选择。

采用美光G9 TLC NAND，连续读取速度为 14.5 GB/s，写入速度为 12.0 GB/s。

基于长江存储Xtacking?4.0架构的闪存颗粒，顺序读取速度高达14,000MB/s ，顺序写入速度高达12,500MB/s。

结合DDR5技术卓越的效能与增强的保护功能，确保在最严苛的数据中心环境中仍具备高度可靠性和稳定使用寿命。

与 DDR5 SODIMM 相比，LPCAMM2 的有功功率减少高达 58%，空间节省 64%。

基于32Gb单块DRAM芯片，在所有主流服务器平台上的速率均高达5,600 MT/s。

采用Type 3 PCIe Gen5，由全高半长尺寸的 PCIe 模块上的安装八支 DDR5 RDIMM 组成。

采用基于晶栈Xtacking 3.0的长江存储3D TLC，提供128GB、256GB及512GB三种容量选择。

与上一代产品相比，三星10.7Gbps LPDDR5X性能提高了25%以上，容量提高了30%以上。

采用基于晶栈Xtacking 3.0的长江存储3D TLC，提供128GB、256GB及512GB三种容量选择。

铠侠UFS 4.0产品将采用BiCS FLASH 3D闪存颗粒，最高传输速度可达4640MB/s， 并向下兼容 UFS 3.1。