配备下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，数据输入/输出速度最高可达3.2Gbps。

采用创新横向微缩技术，为4平面(Plane)的1Tb三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC)，带来超过50%的位密度提

238层产品数据传输速度为每秒2.4Gb，比上一代提升了50%；与 176 层 NAND 相比，其整体生产力提高了 34%。

美光232 层 NAND拥有业界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s)。

每引脚最大数据速率为9.2Gbps，最大带宽超过每秒1.18TB，最大容量为36GB。

五代双倍数据率同步动态随机存储器 带来以数据为中心的创新

SK海力士DDR5数据处理速率为5,600Mbps，未来目标是使用更高密度的DDR5实现超过6,400Mbps的更快速度。

与DDR4相比，美光DDR5提供高达2倍的内存带宽，满足现代数据中心CPU内核的加速增长。

采用PCIe 5.0 x8接口技术，顺序读写速度分别高达14GB/s、12GB/s。

采用PCIe 4.0 x4接口，500GB - 2TB采用BiCS5 TLC，4TB采用BiCS6 QLC。

采用BiCS FLASH TLC，PCIe Gen4.0接口，1024GB、2048GB、4096GB 等容量选择。

采用美光232层闪存颗粒，PCIe Gen4接口，符合NVMe 2.0c规范。

与 DDR5 SODIMM 相比，LPCAMM2 的有功功率减少高达 58%，空间节省 64%。

搭载两个CXL控制器，设计成两个x8 CXL端口，实现总带宽64GB/s。

基于32Gb单块DRAM芯片，在所有主流服务器平台上的速率均高达5,600 MT/s。

采用Type 3 PCIe Gen5，由全高半长尺寸的 PCIe 模块上的安装八支 DDR5 RDIMM 组成。

与上一代产品相比，三星10.7Gbps LPDDR5X性能提高了25%以上，容量提高了30%以上。

铠侠UFS 4.0产品将采用BiCS FLASH 3D闪存颗粒，最高传输速度可达4640MB/s， 并向下兼容 UFS 3.1。

美光UFS 4.0采用232层3D TLC NAND，共有三种容量选择256 GB、512 GB和1TB。

采用全新升级的晶栈2.0（Xtacking? 2.0）技术的TLC 3D闪存颗粒，设计和工艺得到进一步改良优化。