采用创新横向微缩技术，为4平面(Plane)的1Tb三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC)，带来超过50%的位密度提

238层产品数据传输速度为每秒2.4Gb，比上一代提升了50%；与 176 层 NAND 相比，其整体生产力提高了 34%。

美光232 层 NAND拥有业界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s)。

基于Toggle DDR 5.0 接口，I/O速度高达2.4 Gb/秒。

SMARTsemi DDR可应用于医疗、工业机器人、通信、网络、家用娱乐/游戏电子和国防设备中，并支持工业宽温和商

五代双倍数据率同步动态随机存储器 带来以数据为中心的创新

SK海力士DDR5数据处理速率为5,600Mbps，未来目标是使用更高密度的DDR5实现超过6,400Mbps的更快速度。

与DDR4相比，美光DDR5提供高达2倍的内存带宽，满足现代数据中心CPU内核的加速增长。

采用美光232层QLC NAND，PCIe Gen4接口，提供512GB-2TB容量选择。

最新990 PRO系列SSD采用三星第八代V-NAND 和新的专有控制器，提供 PCIe 4.0 接口目前可用的最高速度。

采用美光232层闪存颗粒，PCIe Gen4接口，符合NVMe 2.0c规范。

采用美光232层闪存颗粒，PCIe Gen4*4接口，符合NVMe v2.4b规范。

带宽提高 2 倍，在上一代产品中，Crucial DDR5 Pro 支持更高水平的多任务处理和更快的处理速度

新型 DDR5 XMM CXL 模块是通过CXL接口增加缓存一致性内存，可提升服务器和数据中心的运算性能

SMART Modular初期规划的DDR5模块产品系列包含16-64GB的 RDIMMs、UDIMMs及 SODIMMs。

SMART DuraMemory DDR5 VLP RDIMM适用于所有类型的高密度计算、存储、网络和电信应用。

美光UFS 4.0采用232层3D TLC NAND，共有三种容量选择256 GB、512 GB和1TB。

采用全新升级的晶栈2.0（Xtacking? 2.0）技术的TLC 3D闪存颗粒，设计和工艺得到进一步改良优化。

广泛应用于便携设备的运行内存产品，提升性能的同时降低系统功耗。

集成了eMMC和LPDDR的复合产品，为穿戴式设备量身定做。对比eMCP产品厚度更薄、尺寸更小。