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SK海力士HBM3E

SK海力士HBM3E

种类:内存芯片   品牌:SK 海力士
应用领域: 服务器汽车网通

产品白皮书 文件下载 来源:企业官方网站
SK海力士HBM3E 共1个产品
系列容量传输速率堆叠其他
HBM3E24-36GB9.2Gbps或更高12层查看
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封装:KGSD
创新技术:MR-MUF 2

系列概览

SK海力士HBM3E最大容量为36GB,每引脚最大数据速率为9.2Gbps,最大带宽超过每秒1.18TB,在容量和带宽上比HBM3均有1.4倍的提升。

SK海力士率先开发MR-MUF(大规模回流成型底部填充)封装技术。这项技术通过回流将芯片粘合在一起,同时用液体材料填充间隙,这对于高导热 HBM 的开发具有重要意义。与芯片控制技术相结合,不仅可以防止晶圆翘曲,还添加了新的填充材料以进一步更好地散热。先进的MR-MUF使HBM3E的散热能力比上一代增强了10%,同时电源效率也提高了10%。

系列图片

企业介绍

SK Hynix以生产和提供PC和移动电子产品等IT设备必需的DRAM和NAND Flash为主力产品。随着智能手机和平板等设备日益具增,人们对存储芯片的需求也越来越多,SK Hynix技术发展层层突破,以持续不断的研究投资为基础,对市场需求作出高效、快速回应,快速推出新品、迅速推向市场。