| 系列 | 容量 | 接口类型 | 速度(读) | 速度(写) | 其他 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| eUFS 3.0 | 128GB | UFS 3.0 | 最高2100MB/秒 | 最高410MB/秒 | 查看
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| eUFS 3.0 | 512GB | UFS 3.0 | 最高2100MB/秒 | 最高410MB/秒 | 查看
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三星eUFS 3.0采用第五代V-NAND，提供128GB和512GB容量，计划在下半年推出1TB版本。其中512GB eUFS 3.0由八颗第五代的512Gb V-NAND裸片堆叠而成，集成高性能控制器。
eUFS3.0具有高达2100MB/s的读取速度，是SATA SSD的四倍，比传统microSD卡速度快20倍，写入速度也提高了50%达到410MB/s，相当于SATA SSD的速度。三星512GB eUFS 3.0相较于eUFS 2.1，在随机读写性能上提高了36%，分别为63K和68K IOPS。
三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。
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