| 型号 | 配置方案 | 架构 | 速度(MB/S) | 封装 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| KMN9W000RM | eMMC(2GB)+LPDDR2(256MB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 批量生产 |
| KMN9W000XM | eMMC(2GB)+LPDDR2(256MB) | x8， x16 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 批量生产 |
| KMNJS000FM | eMMC(4GB)+LPDDR2(512MB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 批量生产 |
| KMNJS000ZM | eMMC(4GB)+LPDDR2(512MB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 批量生产 |
| KMN5U000ZA | eMMC(4GB)+LPDDR2(512MB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 批量生产 |
| KMN5U000ZM | eMMC(4GB)+LPDDR2(512MB) | x8， x32 | 800(LPDDR2) | 162FBGA | 批量生产 |
| KMN5U000FM | eMMC(4GB)+LPDDR2(512MB) | x8， x16 | 800(LPDDR2) | 162FBGA | 批量生产 |
| KMN5X000ZM | eMMC(4GB)+LPDDR2(512MB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 发展中 |
| KMKJS000YA | eMMC(4GB)+LPDDR2(768MB) | x8， x32 | 800(LPDDR2) | 162FBGA | 客户样品 |
| KMK5U000YM | eMMC(4GB)+LPDDR2(768MB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 批量生产 |
| KMKJS000VM | eMMC(4GB)+LPDDR2(1GB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 批量生产 |
| KMK5U000VM | eMMC(4GB)+LPDDR2(1GB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 批量生产 |
| KMK5X000VM | eMMC(4GB)+LPDDR2(1GB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 发展中 |
| KMKUS000VM | eMMC(8GB)+LPDDR2(1GB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 批量生产 |
| KMK7U000VM | eMMC(8GB)+LPDDR2(1GB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 批量生产 |
| KMK7X000VM | eMMC(8GB)+LPDDR2(1GB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 发展中 |
| KMK8X000VM | eMMC(16GB)+LPDDR2(1GB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 发展中 |
| KMK8U000VM | eMMC(16GB)+LPDDR2(1GB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 批量生产 |
| KMK3U000VM | eMMC(16GB)+LPDDR2(1GB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 186FBGA | 批量生产 |
| KMI8U000MM | eMMC(16GB)+LPDDR2(2GB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 186FBGA | 发展中 |
| KMI8X000VM | eMMC(16GB)+LPDDR2(2GB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 发展中 |
| KMK2U000VM | eMMC(32GB)+LPDDR2(1GB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 186FBGA | 批量生产 |
| KMI4Z000MM | eMMC(32GB)+LPDDR2(2GB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 162FBGA | 发展中 |
| KMK1U000VM | eMMC(64GB)+LPDDR2(1GB) | x8， x32 | 1066(LPDDR2) | 186FBGA | 批量生产 |
MCP(Multi-Chip Packaging；MCP)多芯片封装技术，是将2种以上的存储芯片，透过整合(水平放置)与(或)堆叠方式封装在同一个BGA里，存储方案一般是1颗NAND Flash芯片加上1颗低功耗的DRAM或是Mobile RAM。由于封装在一起，可以有效的减少外界的干扰，增强NAND Flash存储芯片和DEAM之间的通信能力，提高芯片整体性能。
除此之外，MCP这样的封装方式较2颗TSOP可以节省70%的空间，为最终产品平均节省30%-40%电路板空间。MCP产品不仅能够节省电路板空间，还简化了制造过程和节约了曾本，最终算短了新终端产品研发时间，加快终端产品上市。
eMCP是基于MCP的产品，存储方案是一颗eMMC芯片加一颗低功耗的DRAM或是Mobile RAM。随着手机所用操作系统的程序代码容量变大，特别是随着Android操作系统的广泛流行，智能型手机对存储容量的更高要求，Samsung等厂商开始将eMMC和低功耗 DRAM封装在一起，满足手机对较大容量的要求。
三星eMCP规格
eMMC:4GB+LPDDR2:256MB-1GB
eMMC:8GB+LPDDR2:1GB
eMMC:16GB+LPDDR2:1GB/2GB
eMMC:32GB+LPDDR2:1GB/2GB
eMMC:64GB+LPDDR2:1GB
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