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三星 DDR4 DRAM

三星 DDR4 DRAM

种类:内存芯片   品牌:三星
应用领域: 服务器航天国防电信内存条AI

产品白皮书 文件下载 来源:企业官方网站
三星 DDR4 DRAM 共79个产品
型号容量架构传输速率其他
K4A4G085WG-BCWE4Gb512M x 83200 Mbps查看
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工作温度:0 ~ 85 °C
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工作温度:-40 ~ 95 °C
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工作温度:-40 ~ 95 °C
工作电压:1.2V
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工作温度:-40 ~ 95 °C
工作电压:1.2V
封装:96 FBGA
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工作温度:0 ~ 85 °C
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工作温度:0 ~ 85 °C
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工作温度:0 ~ 85 °C
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工作温度:0 ~ 85 °C
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工作温度:0 ~ 85 °C
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工作温度:-40 ~ 95 °C
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工作温度:-40 ~ 95 °C
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工作温度:0 ~ 85 °C
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工作温度:0 ~ 85 °C
工作电压:1.2V
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K4A8G165WB-BCRC8Gb512M x 162400 Mbps查看
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工作温度:0 ~ 85 °C
工作电压:1.2V
封装:96 FBGA
K4A8G165WB-BCTD8Gb512M x 162666 Mbps查看
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工作温度:0 ~ 85 °C
工作电压:1.2V
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工作温度:-40 ~ 95 °C
工作电压:1.2V
封装:96 FBGA
K4A8G165WB-BITD8Gb512M x 162666 Mbps查看
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工作温度:-40 ~ 95 °C
工作电压:1.2V
封装:96 FBGA
K4A8G165WB-BIWE8Gb512M x 163200 Mbps查看
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工作温度:-40 ~ 95 °C
工作电压:1.2V
封装:96 FBGA
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工作温度:0 ~ 85 °C
工作电压:1.2V
封装:96 FBGA
K4A8G165WC-BCRC8Gb512M x 162400 Mbps查看
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工作温度:0 ~ 85 °C
工作电压:1.2V
封装:96 FBGA
K4A8G165WC-BCTD8Gb512M x 162666 Mbps查看
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工作温度:0 ~ 85 °C
工作电压:1.2V
封装:96 FBGA

系列概览

业界首创的 1x 纳米工艺技术使 DDR4能够消耗更少,能降低 25%。同时提供更高的性能,降低总体成本。1.2V 低工作电压和伪开漏 (POD)速度可达3200Mbps。

系列图片

企业介绍

三星一直处于创新的最前沿,致力于钻研创新性技术,不断推出新产品,迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位,而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力,承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。