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三星 DDR5 DRAM

三星 DDR5 DRAM

种类：内存芯片   品牌：三星
应用领域： 笔记本； 服务器； 电信； 内存条；

产品白皮书 文件下载 来源：企业官方网站
三星 DDR5 DRAM 共16个产品
型号容量架构传输速率其他
K4RAH086VB-BCWM16 Gb2G x 85600 Mbps查看
K4RAH086VB-BCWM其他参数关闭
工作电压:1.1 V
工作温度:0℃~85℃
封装:82 FBGA
K4RAH086VB-BIQK16 Gb2G x 84800 Mbps查看
K4RAH086VB-BIQK其他参数关闭
工作电压:1.1 V
工作温度:-40 ~ 95 °C
封装:82 FBGA
K4RAH086VB-BIWM16 Gb2G x 85600 Mbps查看
K4RAH086VB-BIWM其他参数关闭
工作电压:1.1 V
工作温度:-40 ~ 95 °C
封装:82 FBGA
K4RAH086VP-BCWM16 Gb2G x 85600 Mbps查看
K4RAH086VP-BCWM其他参数关闭
工作电压:1.1 V
工作温度:0℃~85℃
封装:82 FBGA
K4RAH165VB-BCWM16 Gb1G x 165600 Mbps查看
K4RAH165VB-BCWM其他参数关闭
工作电压:1.1 V
工作温度:0℃~85℃
封装:106 FBGA
K4RAH165VB-BIQK16 Gb1G x 164800 Mbps查看
K4RAH165VB-BIQK其他参数关闭
工作电压:1.1 V
工作温度:-40 ~ 95 °C
封装:106 FBGA
K4RAH165VB-BIWM16 Gb1G x 165600 Mbps查看
K4RAH165VB-BIWM其他参数关闭
工作电压:1.1 V
工作温度:-40 ~ 95 °C
封装:106 FBGA
K4RAH165VP-BCWM16 Gb1G x 165600 Mbps查看
K4RAH165VP-BCWM其他参数关闭
工作电压:1.1 V
工作温度:0℃~85℃
封装:106 FBGA
K4RHE086VB-BCWM24 Gb2G x 85600 Mbps查看
K4RHE086VB-BCWM其他参数关闭
工作电压:1.1 V
工作温度:0℃~85℃
封装:82 FBGA
K4RHE165VB-BCWM24 Gb1G x 165600 Mbps查看
K4RHE165VB-BCWM其他参数关闭
工作电压:1.1 V
工作温度:0℃~85℃
封装:106 FBGA
K4RCH046VM-2CLP32 Gb4G x 46400 Mbps查看
K4RCH046VM-2CLP其他参数关闭
工作电压:1.1 V
工作温度:0℃~85℃
封装:78 FBGA
K4RBH046VM-BCCP32 Gb2G x 46400 Mbps查看
K4RBH046VM-BCCP其他参数关闭
工作电压:1.1 V
工作温度:0℃~85℃
封装:78 FBGA
K4RCH046VM-2CCM32 Gb4G x 45600 Mbps查看
K4RCH046VM-2CCM其他参数关闭
工作电压:1.1 V
工作温度:0℃~85℃
封装:78 FBGA
K4RBH046VM-BCWM32 Gb2G x 45600 Mbps查看
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工作电压:1.1 V
工作温度:0℃~85℃
封装:78 FBGA
K4RAH086VB-BCQK16 Gb2G x 84800 Mbps查看
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工作电压:1.1 V
工作温度:0℃~85℃
封装:82 FBGA
K4RAH165VB-BCQK16 Gb1G x 164800 Mbps查看
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工作电压:1.1 V
工作温度:0℃~85℃
封装:106 FBGA

系列概览

五代双倍数据率同步动态随机存储器融合了新的速度水平、改善的容量和加强的可靠性，以提高整体系统性能。

五代双倍数据率同步动态随机存储器具有高达 7200 百万比特/秒 (Mbps) 的传输速度，有效处理更大、更复杂数据工作量不断增长的需求。
与四代双倍数据率同步动态随机存储器 相比，五代双倍数据率同步动态随机存储器的性能提升了一倍多，
长度从 8 翻倍至 16，存储库数量从 16 翻倍至 32，同时无缝处理 8K 内容。

三星的10nm级工艺和极紫外光刻（EUV）技术已经开发出了大容量512GB DDR5内存模块。

系列图片

向左向右

企业介绍

三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。

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