Samsung
三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。
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Samsung 第九代V-NAND配备下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，数据输入/输出速度最高可达3.2Gbps。三星 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND基于Toggle DDR 5.0 接口，I/O速度高达2.4 Gb/秒。三星 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0FSamsung 3D TLC ADGU0F采用15nm工艺，提供16Gb容量选择。三星 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0DSamsung 3D TLC ADGU0D采用16nm工艺，提供16GB容量选择。三星 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0ASamsung 3D TLC AFGH0A采用LDPC纠错，提供32GB容量选择。三星 2018-03-14
Samsung 3D TLC ADGS0FSamsung 3D TLC ADGS0F采用15nm工艺，提供16GB容量选择。三星 2018-03-14
Samsung 3D TLC ABGU0ESamsung 3D TLC ABGU0E采用16nm工艺，提供4GB容量选择。三星 2018-03-14
Samsung 3D TLC ACGU0DSamsung 3D TLC ACGU0D采用16nm工艺，提供8GB-32GB多种容量选择。三星 2018-03-14
Samsung 3D TLC ADGU0MSamsung 3D TLC ADGU0M采用19nm工艺，提供16GB-64GB多种容量选择。三星 2018-03-14
Samsung 3D TLC ACGU0BSamsung 3D TLC ACGU0B采用19nm工艺，提供8GB-16GB多种容量选择。三星 2018-03-14
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