美光量产12层堆叠36GB HBM3E:内存带宽1.2TB/s以上
编辑:Andy 发布:2024-09-06 11:36美光科技宣布其12层堆叠HBM3E 36GB内存已进入量产阶段,并开始向主要行业合作伙伴交付,以进行AI生态系统中的验证。据CFM闪存市场了解,SK海力士预计将在9月底开始量产12层HBM3E,三星12层HBM3E芯片已完成量产准备,计划于今年下半年开始供货。
与现有8层堆叠HBM3E产品相比,美光12层堆叠HBM3E容量增加50%,支持大型AI模型如Llama-70B在单个处理器上运行,减少多处理器运行的延迟。同时,该内存拥有超过9.2Gb/s的I/O引脚速率和1.2TB/s以上的内存带宽,且功耗较竞争对手的8层堆叠HBM3E产品更低。
美光在FY2024Q3财季(2024年3-5月)财报中透露,其HBM出货量从第三财季开始增加,预计在2024财年从HBM可获得数亿美元收入,2025财年从HBM获得数十亿美元的收入。预期能在2025自然年其HBM达到约同于美光DRAM市占率的相同水准,也就是约为20-25%。另外美光2024年和2025年的HBM产品已售罄,2025年绝大多数的产品定价已签订合同。HBM4方面,美光也已着手开发,考虑采用包括混合键合在内等相关技术。