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据韩媒报道，SK海力士负责PKG开发的副总裁Kang-wook Lee近日表示：“SK海力士正在为HBM4 16层产品开发先进的MR-MUF（大规模回流模制底部填充）和混合键合技术，并计划根据客户需求选择最佳方法。”

虽然适用混合键合技术在产品性能、容量增加和散热方面具有优势，但在技术成熟度和量产基础设施准备方面还有许多问题需要解决。通过快速提高两种方式的技术成熟度，SK海力士提前应对客户对内存大容量化的需求。

混合键合是一种直接连接铜与铜的技术，消除了垂直堆叠现有半导体时使用的凸块（焊球）。由于半导体之间的距离减小且电阻较低，可以最大限度地提高信号传输效率，但由于技术难度较高，目前尚未应用于HBM。

据SK海力士介绍，MR-MUF是该司自主研发的的封装技术，首先应用于第三代HBM（HBM2E）。具有低压/低温键合和批量热处理的优势，在生产效率和可靠性方面优于其他工艺。此外，具有高热导特性的Gap-Fill材料（填充空隙的材料）和高密度金属凸块（在垂直堆叠HBM DRAM时起连接电路作用的微小鼓包型材料）的形成，使其在散热方面比其他工艺具有30%以上的性能优势。

目前，SK海力士在8层HBM3和HBM3E产品中采用MR-MUF技术，在12层产品中采用了Advanced MR-MUF技术，并将在明年下半年出货的12层HBM4产品中采用Advanced MR-MUF技术进行量产。对于16层产品，SK海力士准备Advanced MR-MUF和混合键合（Hybrid Bonding）方式，计划选择最符合客户要求的方式。

SK海力士8层、12层HBM3E每秒可处理1.18TB以上的数据，可支持最大36GB的容量，而HBM4将提供12层、16层，容量最大可达48GB，数据处理速度超过每秒1.65TB。从HBM4开始通过在基础裸片（Base Die）上适用逻辑工艺，预计性能和能效将得到提升。

随着HBM性能的提升，AI市场对HBM的需求有望增加。据CFM闪存市场数据，预计今年HBM Bit供应量达110亿Gb，约占DRAM Bit比重为4.8%；全年市场规模将达150亿美元，约占DRAM市场的20%。

Lee副总裁表示，正在准备开发HBM4及后续世代产品，同时为了解决带宽、容量、能效方面的技术难题，正在评估包括2.5D和3D系统级封装（SiP，System in Package）在内的各种方案。此外，预计从HBM4E开始将具有更强的定制性，为了有效应对各种客户需求，SK海力士也在加强与全球合作伙伴的协作，以构建生态系统。