SK海力士HBM3

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SK海力士HBM3 共2个产品

型号	容量	传输速率	堆叠
H5UG7HME03X020R	16GB	6.0Gbps	8层
H5UG7HMD83X020R	16GB	5.6Gbps	8层

SK海力士HBM3的容量是HBM2E 的1.5倍，由12个DRAM芯片堆叠而成，总封装高度相同，非常适合AI和HPC等容量密集型应用。

SK海力士HBM3可提供6.4Gbps 的 I/O 速度，带宽提高 1.8 倍。此外，还具有强大且定制设计的片上ECC（纠错码），使用预分配的奇偶校验位来检查和纠正接收数据中的错误。嵌入式电路允许 DRAM 自行纠正单元内的错误，从而显著提高设备可靠性。

向左向右

SK Hynix以生产和提供PC和移动电子产品等IT设备必需的DRAM和NAND Flash为主力产品。随着智能手机和平板等设备日益具增，人们对存储芯片的需求也越来越多，SK Hynix技术发展层层突破，以持续不断的研究投资为基础，对市场需求作出高效、快速回应，快速推出新品、迅速推向市场。

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