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SK海力士预计将在本月底开始量产12层高带宽存储器（HBM3E），并计划与台积电合作生产下一代HBM4产品。SK海力士一直是英伟达在高性能内存产品领域的重要合作伙伴，此次量产的12层HBM3E将进一步提升公司在该领域的市场地位。

据SK海力士最新财报显示，今年二季度HBM需求表现尤为突出，其销售额环比增长超过80%，同比增长超过250%；另外，HBM3E销售额在Q2开始显著增长，预计HBM3E bit出货量将在三季度超过HBM3，并在2024年将占HBM总销量的50%以上，随着12层堆叠HBM3E于本月逐步量产，SK海力士HBM出货将更加强劲。

除此之外，SK海力士宣布将为客户提供HBM内存基础裸片的定制服务。这一服务将允许客户根据自身需求定制内存产品，从而满足特定应用场景下的高性能要求。

除了在HBM内存领域的创新，SK海力士还计划将其SSD主控技术升级，引入先进的芯粒技术。芯粒技术是一种将不同功能芯片集成在单一封装中的技术，它可以显著提高产品的集成度和性能，同时降低功耗。SK海力士的这一技术升级预计将进一步提升其SSD产品的市场竞争力。

SK海力士总裁Justin Kim强调，AI技术带来的新革命才刚刚开始，生成式AI的快速发展为半导体行业带来了新的挑战。为了实现通用AI，需要解决电力、冷却和内存等方面的挑战。Justin Kim提到，SK海力士正在开发高效能、低能耗的AI内存产品，其HBM3E产品目前在市场上占据主导地位，而下一代HBM4产品将根据客户需求进行量产。

此外，SK海力士还计划在韩国建立新设施，包括四座工厂，预计2027年量产，目标是成为世界最先进的半导体产业集群之一，以促进与合作伙伴的合作。同时，SK海力士也在美国建立生产设施，计划2028年运营，专注于开发先进的封装技术，并加强与客户及合作伙伴的沟通。