长鑫存储预估,2025年营收为550亿-580亿元,同比增长127.48%-139.89%;净利润为20亿-35亿元,同比增长122.1%-138.67%;归属于母公司所有者的净利润为-16亿-6亿元,同比增长77.61%-91.6%;扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润为28亿-30亿元,同比增长135.58%-138.12%。
长鑫存储最新的DDR5产品系列最高速率达8000Mbps,最高颗粒容量24Gb,并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品,覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域,满足各领域的高端市场需求。
目前长鑫存储8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品已于今年5月量产,10677Mbps速率的产品已经启动客户送样。
12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。
近日,长三角一体化发展重大合作事项签约仪式在湖州举行,会议指出,长三角地区拟支持长鑫存储 12 英寸存储器晶圆制造基地项目建设。
长鑫存储与Rambus Inc.签署专利许可协议。依据此协议,长鑫存储从蓝铂世获得大量动态随机存取存储技术专利的实施许可。
长鑫存储官方正式上线DRAM产品,包括8Gb DDR4芯片、8GB DDR4内存条、2GB/4GB LPDDR4X产品,均符合国际通行标准规范。
长鑫存储与Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.联合宣布,就原动态随机存取存储芯片(DRAM)制造商奇梦达开发的DRAM专利,长鑫存储与WiLAN全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。
在9月19日,中国闪存市场峰会CFMS2019上,长鑫存储未来技术评估实验室副总裁平尔萱将带来《DRAM技术趋势与行业应用》的精彩演讲,敬请期待!
鉴于生产中依然会使用到美国的半导体设备和EDA工具,长鑫存储已经重新设计DRAM芯片,以尽量减少对美国原产技术的使用。
合肥长鑫计划2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,产能达到2万片/月。从2020年开始,开始规划二厂,2021年完成17nm研发。