据业界消息，DeepSeek第二轮融资规模达1055亿元人民币（约158亿美元），吸引近30家机构参与。其中国资出资占比约27%，较首轮的2%大幅提升。国资阵营中，国家人工智能产业投资基金本轮再投10亿元，中国移动、中国电信、中金公司、中信证券、中国人寿等单家出资20亿至80亿元。

腾讯、宁德时代仍为两大核心投资方：腾讯两轮各出资100亿元；宁德时代及其董事长两轮合计出资由50亿元增至100亿元。产业资本方面，长鑫存储、中芯国际、vivo、美团、吉利、美的、立讯精密、携程、小红书等参与，部分单家投资10亿至30亿元。

据外媒报道称，长鑫存储已向多家国内人工智能芯片设计公司提供HBM3E样品，并计划在未来两个月内启动小批量生产。知情人士透露，目前长鑫存储HBM3E的良率约为20%-30%。为平衡制造难度与客户验证进度，长鑫存储向客户提供了两种版本：一种是标准设计产品，另一种是在设计上进行调整、以提高良率为目标的改进型产品。测试结果显示，其HBM3E性能更接近上一代HBM3。由于良率偏低，生产成本较高，长鑫存储HBM3E的价格预计将高于海外竞争对手同类产品。

长鑫存储4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。据长鑫总裁曹堪宇博士透露，长鑫4F²架构最核心的特色是在DRAM存储阵列晶体管上的创新，即自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。VSG晶体管采用了垂直包围沟道结构，能实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，同时竖立的晶体管也助力面积微缩，提升存储密度。预计长鑫年底将推出融合了上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

长鑫科技发布公告称，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“公司”、“长鑫科技”）拟使用超募资金人民币 130.00 亿元投资新建技术研发项目，同时，公司拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（以下简称“长鑫产品合肥”）提供超募资金人民币 50.00 亿元，由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目。

长鑫科技原计划通过IPO募集资金295亿元，主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。最终，长鑫科技IPO超募资金金额达368.10亿元。

长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台（简称“G5平台”）实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破。

G5平台在关键工艺维度上依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

据知情人士透露，长鑫计划在其北京新厂建设一条NAND研发产线，并已设立专门的研发部门推进相关技术开发。在业务拓展方面，长鑫已就NAND业务规划与客户展开接洽，其中包括一家计划将长鑫NAND芯片应用于AI系统及超算存储产品研发的初创企业。

据CFM闪存市场数据，2026年二季度全球DRAM市场规模1470.24亿美元，环比增长55.9%，创历史新高。

具体来看，

三星二季度DRAM销售收入达591.18亿美元，环比增长54.7%，市场份额为40.2%，稳居第一宝座；

SK海力士二季度DRAM销售收入达384.34亿美元，环比增长37.6%，市场份额为26.1%，排名第二，DRAM价格涨幅被出货比重仍较高的HBM部分抵消，环比增幅低于其他厂商；

美光二季度（2026年3月-5月）DRAM销售收入达313.28亿美元，环比增长66.9%，市场份额21.3%，排名第三；

长鑫存储二季度DRAM销售收入达145.45亿美元，环比增长99%，市场份额已逼近10%，排名第四，主要是由于占据其供应比重主要份额的mobile LP4X/5X价格涨幅领跑其他应用市场，DRAM销售收入环比增幅位列第一；

南亚科技二季度DRAM销售收入为25.99亿美元，环比增长68%，市场份额1.8%；

华邦电子二季度DRAM销售收入为10亿美元，环比增长77.8%，市场份额0.7%。

长鑫存储近日向美国哥伦比亚特区联邦地区法院提起诉讼，将美国国防部及国防部长皮特·赫格塞思列为被告，挑战其被单方面列入1260H清单的合法性。长鑫存储成为继小米、中微、禾赛、药明康德、阿里巴巴、长江存储之后，第7家对美方"中国涉军企业"清单发起法律反击的中国企业。

长鑫存储指控称，美国国防部将其列入所谓"中国军工企业"名单的决定是"武断的"、缺乏证据支持，且违反正当程序，要求法院推翻这一决定并将其从黑名单中移除。长鑫存储明确表示，其并非军工企业、与中国军方无任何关联，所设计的DRAM芯片均用于智能手机、笔记本电脑和服务器等民用及商业用途，而非军事用途。

小米日前发布玄戒O3，这是全球首款支持LPDDR6的旗舰处理器。据细，长鑫LPDD6将作为国产内存首发搭配玄戒O3，正式落地商用。长鑫LPDDR6单颗粒容量16Gb，芯片容量16GB，与SoC协同运行的基础速率为10667Mbps，最高速率可达12800Mbps，封装为1295 Ball的POP形式，在低功耗设计、RAS功能上较LPDDR5X产品有明显优化提升。据悉，长鑫已于今年3月向关键客户送样LPDDR6，8月验证工作接近尾声。

据业界消息称，美国政府可能考虑允许苹果向长鑫存储及长江存储采购存储芯片，消息称苹果正测试长鑫科技的DRAM产品以及长江存储的NAND模组，显示两者进入苹果供应链的可能性正在升高。若后续进入供应链，预计主要用于在中国市场销售的苹果设备。