长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台（简称“G5平台”）实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破。

G5平台在关键工艺维度上依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

据知情人士透露，长鑫计划在其北京新厂建设一条NAND研发产线，并已设立专门的研发部门推进相关技术开发。在业务拓展方面，长鑫已就NAND业务规划与客户展开接洽，其中包括一家计划将长鑫NAND芯片应用于AI系统及超算存储产品研发的初创企业。

据CFM闪存市场数据，2026年二季度全球DRAM市场规模1470.24亿美元，环比增长55.9%，创历史新高。

具体来看，

三星二季度DRAM销售收入达591.18亿美元，环比增长54.7%，市场份额为40.2%，稳居第一宝座；

SK海力士二季度DRAM销售收入达384.34亿美元，环比增长37.6%，市场份额为26.1%，排名第二，DRAM价格涨幅被出货比重仍较高的HBM部分抵消，环比增幅低于其他厂商；

美光二季度（2026年3月-5月）DRAM销售收入达313.28亿美元，环比增长66.9%，市场份额21.3%，排名第三；

长鑫存储二季度DRAM销售收入达145.45亿美元，环比增长99%，市场份额已逼近10%，排名第四，主要是由于占据其供应比重主要份额的mobile LP4X/5X价格涨幅领跑其他应用市场，DRAM销售收入环比增幅位列第一；

南亚科技二季度DRAM销售收入为25.99亿美元，环比增长68%，市场份额1.8%；

华邦电子二季度DRAM销售收入为10亿美元，环比增长77.8%，市场份额0.7%。

长鑫存储近日向美国哥伦比亚特区联邦地区法院提起诉讼，将美国国防部及国防部长皮特·赫格塞思列为被告，挑战其被单方面列入1260H清单的合法性。长鑫存储成为继小米、中微、禾赛、药明康德、阿里巴巴、长江存储之后，第7家对美方"中国涉军企业"清单发起法律反击的中国企业。

长鑫存储指控称，美国国防部将其列入所谓"中国军工企业"名单的决定是"武断的"、缺乏证据支持，且违反正当程序，要求法院推翻这一决定并将其从黑名单中移除。长鑫存储明确表示，其并非军工企业、与中国军方无任何关联，所设计的DRAM芯片均用于智能手机、笔记本电脑和服务器等民用及商业用途，而非军事用途。

小米日前发布玄戒O3，这是全球首款支持LPDDR6的旗舰处理器。据细，长鑫LPDD6将作为国产内存首发搭配玄戒O3，正式落地商用。长鑫LPDDR6单颗粒容量16Gb，芯片容量16GB，与SoC协同运行的基础速率为10667Mbps，最高速率可达12800Mbps，封装为1295 Ball的POP形式，在低功耗设计、RAS功能上较LPDDR5X产品有明显优化提升。据悉，长鑫已于今年3月向关键客户送样LPDDR6，8月验证工作接近尾声。

据业界消息称，美国政府可能考虑允许苹果向长鑫存储及长江存储采购存储芯片，消息称苹果正测试长鑫科技的DRAM产品以及长江存储的NAND模组，显示两者进入苹果供应链的可能性正在升高。若后续进入供应链，预计主要用于在中国市场销售的苹果设备。

据韩国媒体报道，苹果近期考虑将长鑫存储纳入其供应链，计划通过此举缓解下一代iPhone及智能设备的制造成本压力。然而，双方在移动DRAM（如LPDDR5X）的降价谈判中陷入僵局。面对苹果的压价诉求，长鑫存储予以拒绝，并表态其内存采购报价将坚持与三星电子和SK海力士相近或更高。

据业界消息，惠普、华硕、宏碁等多家大型PC制造商已于年中完成了长鑫存储DRAM的认证流程，并已开始在笔记本电脑中小规模应用；目前这些PC厂商采用长鑫存储芯片的数量及搭载这些芯片的笔记本电脑型号仍非常有限，且主要在非美国市场销售。另有消息称，部分PC厂商已获得额外的CPU供应，目前正竞相锁定更多存储芯片以与之配套，这使得他们对包括长鑫存储在内的任何可用供应商都抱持更加开放的态度。

据媒体援引知情人士消息，长鑫存储正考虑在北京亦庄产业园建设一座新的12英寸晶圆厂。消息人士还表示，长鑫存储正在与北京经济技术开发区就投资和融资计划进行磋商，寻求至少6000万元人民币的资金支持。据悉，其他一些国有科技企业也表达了参与投资的意愿。需注意的是，谈判仍处于早期阶段，融资方案的具体规模和结构均可能调整。

近日，长鑫存储技术有限公司发生工商变更，注册资本由约238.9亿人民币增至约313.9亿人民币，增幅约31%。长鑫存储由长鑫科技集团股份有限公司全资持股。