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2016年5月,长鑫存储技术有限公司在安徽合肥成立。长鑫存储致力于成为全球领先的半导体IDM企业,不断引进先进的半导体设施,并研发行业顶尖技术。长鑫存储将以无限的潜力与激情,不断探索创新,构建行业新未来。
长鑫存储产品(合肥)有限公司日前发生工商变更,注册资本从56.61亿元增加到66.61亿元,增幅约为 17.67%。资料显示,长鑫存储产品(合肥)有限公司成立于2022年11月,法定代表人为赵纶,由长鑫科技集团股份有限公司全资持股。
上交所官网显示,长鑫科技集团股份有限公司(简称:长鑫科技/长鑫存储)科创板IPO申请获受理,且已预先审阅。长鑫存储拟募资295亿元,用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。
长鑫存储近日发布最新的DDR5产品系列:最高速率达8000Mbps,最高颗粒容量24Gb,并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品,覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域,满足各领域的高端市场需求。
2025年10月,长鑫存储在IEEE 2025 ASICON会议上分享了LPDDR5X产品的最新进展。目前长鑫存储LPDDR5X的产品阵容包括颗粒、芯片及模组等形态。其中颗粒包括12Gb和16Gb两个容量点。芯片形态提供了覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点的解决方案。模组形态的LPCAMM产品容量为16GB和32GB。LPDDR5X产品的速率覆盖了8533Mbps、9600Mbps、10677Mbps,同时兼容LPDDR5。目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品已于今年5月量产,10677Mbps速率的产品已经启动客户送样。
证监会官网显示,国产DRAM厂商长鑫存储(长鑫科技集团股份有限公司)启动上市辅导,中金、中信建投担任辅导机构。长鑫存储成立于2016年,主要从事动态随机存取存储器(DRAM)产品的研发、设计生产及销售。注册资本达601.9亿元,无控股股东。第一大股东为合肥清辉集电企业管理合伙企业(有限合伙),直接持有公司21.67%股份。公开信息显示,目前已有多家知名投资机构入股长鑫存储,包括合肥产投集团、安徽省投、建信金融、大基金二期、兆易创新、小米、美的、阿里、腾讯等。长鑫存储最近一轮融资为2024年3月战略融资108亿元,公司估值约1400亿元。
近日有消息称,碧桂园旗下碧桂园创投正寻求出售持有的长鑫存储股份,筹资约20亿元,出售时间仍在洽商中,最终结果尚无定论。对此,碧桂园回应称,公司致力于积极探索各种策略以优化资产负债结构,包括对资产组合的审慎评估和潜在的资产处置机会。
资料显示,碧桂园通过碧桂园创投旗下佛山市南海区汇碧五号股权投资合伙企业(有限合伙)持有长鑫科技集团股份有限公司(以下简称“长鑫科技”)1.6805%的股份,后者则持有长鑫存储100%的股权。
在第69届IEEE 国际电子器件会议(IEDM)上,长鑫存储发布GAA技术相关论文,展示了其在环绕式闸极结构(Gate-All-Around,GAA)技术上的突破,而这个技术可以用在3nm工艺制程芯片上,且可以兼容5nm、7nm、10nm和14nm。不过由于设备制程管制,长鑫存储现在还无法生产和制造。
长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品,包括12Gb的LPDDR5颗粒,POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。其中,12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品。
天眼查显示,近日长鑫存储新增多项专利信息,其中一条名称为“晶圆测试结构及其制作方法、晶圆”,公开号为CN113517260B,法律状态显示该专利已获授权。专利摘要显示,本申请提供一种晶圆测试结构及其制作方法、晶圆,涉及半导体技术领域,用于解决晶圆测试结构所占用空间较大的技术问题。
日前,由长鑫存储与合肥八中共建的“长鑫科创班”正式揭牌开班,“长鑫科创班”的设立旨在探索创新人才培养的校企新模式,通过“双导师”制在科技创新上实现产教融汇。