受半导体强劲需求的推动，韩国2月份前10天的出口额比上年同期增长44.4%，达213.9亿美元。其中，半导体出口额同比增长137.6%，达到67.3亿美元，占出口总额的31.5%，比去年同期增长 12.3 个百分点。
据韩媒报道，SK海力士正在开发名为“AIP（All-In-Plug）”的创新技术，以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。据悉，为实现高堆叠NAND而增加的HARC蚀刻工艺数量是导致制造成本上升的最大因素。传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻，通过键合工艺连接起来，而AIP可在单次工艺中对超过300层的高密度NAND闪存一次性进行HARC蚀刻，将显著降低制造成本。如果这项技术应用于实际量产，预计从下一代NAND闪存（例如V11）开始，HARC工艺的数量和成本将显著降低。
据三星电子首席技术官宋载赫透露，三星目前正在开发 zHBM，其核心是将 HBM 堆叠成 3D 结构，有望在物理人工智能时代所需的带宽或能源效率方面带来另一项重大创新。
华邦电子公布2025全年营运表现，2025年合并营收为894.06亿元（新台币，下同），同比增长9.55%，主要受惠于需求端结构调整带动内存产品价格上升影响，营业毛利率为35%，归属母公司税后净利为39.62亿元。
据业界消息，字节跳动正在研发人工智能芯片，并与三星电子洽谈代工事宜，旨在确保获得先进处理器供应，计划3月底前收到芯片样品。字节跳动计划今年生产至少10万片用于AI推理任务的芯片并逐步提产至35万片，谈判还涉及获取供不应求的存储芯片供应。字节跳动发言人在一份声明中表示芯片项目相关信息不准确但未进一步说明，三星则拒绝置评。
近日，英特尔首次公开其与软银子公司Saimemory共同研发的“Z-Angle Memory”（ZAM）内存原型，采用错位互连拓扑结构（staggered interconnect topology），在芯片堆叠内部实现对角线走线。英特尔称，这种架构设计能从物理层面有效解决现有内存解决方案面临的散热瓶颈，并大幅优化计算性能。据悉，其功耗相比现有方案降低40% 至 50%，单芯片存储容量最高可达 512GB。
据业界消息，芝奇（G.Skill）已就一起集体诉讼达成和解，同意支付240万美元以解决对其“内存速度虚假宣传”的指控。该诉讼的核心争议在于，消费者指称芝奇在其DDR4与DDR5台式机内存的宣传中存在误导，用户购买时普遍认为内存产品插入电脑后无需额外调整即可达到标称的高速运行效果，但实际使用中却并非如此。
代工厂和硕1月营收921.58亿元新台币，环比减少7.74%，同比减少12.50%。和硕表示，1月营收下滑主要是受传统消费性电子淡季影响。展望后市，受2月农历春节假期影响，预计和硕首季业绩将呈现季减、年减走势。
据日媒报道，日本半导体公司 Rapidus 计划在 2027 财年下半年开始生产 2nm 制程芯片、2028 财年开始正式生产。其初期月产能设定为 6000 片晶圆，目标在量产启动后约一年内将产能提升至约 2.5 万片，实现四倍增长。
Counterpoint Research报告称， 2025 年全球智能手机活跃设备存量同比增长 2%，换机周期延长至近四年。目前全球已有八家智能手机厂商的活跃设备存量超过 2 亿台，这八大品牌合计占据了全球超过 80% 的活跃设备份额，苹果与三星展现出断层式的领先优势。
三星于官网正式宣布，Galaxy Unpacked发布会将于2月25日在美国加利福尼亚州旧金山举办，线上直播将于美国东部时间下午1点，即北京时间2月26日凌晨2点开始。届时，三星Galaxy S26系列三款机型Galaxy S26、Galaxy S26+以及Galaxy S26 Ultra将正式发布。
当地时间2月10日，美股三大指数涨跌不一。截至收盘，道琼斯指数涨0.1%，报50188.14点，再创历史新高；纳斯达克指数跌0.59%，报23102.47点；标普500指数跌0.33%，报6941.81点。其中，高通涨0.83%，微软跌0.08%，苹果跌0.34%，英伟达跌0.79%，亚马逊跌0.84%，AMD、谷歌A、谷歌C跌超1%，美光跌超2%，希捷跌超6%，闪迪跌超7%。
CFM闪存市场最新数据显示，DDR5 64GB合约价格落在820至950美元区间，DDR5 96GB合约价格落在1310至1600美元区间，DDR5 128GB落在2100至2400美元区间，相比上季度价格涨幅高达80%-120%。而服务器DDR5内存条现货价格相对于合约价更高，服务器64GB/96GB/128GB DDR5内存条现货价格分别在2200至2500美金、3800至4000美金、4200至4300美金之间。
今日Flash Wafer价格全面上涨，1Tb QLC、1Tb TLC、512Gb TLC、256Gb TLC价格分别调涨至24.00/25.00/20.00/11.00美元，与11月初相比，近一个季度涨幅均高达两倍左右。
日月光投控1月自结合并营收599.88亿元（新台币，下同），较2025年12月增加1.9%，比去年同期成长21.3%，创历年同期新高。其中，封装测试及材料业务营收376.39亿元，月增0.1%、年增33.8%。日月光投控预估今年在先进封测（LEAP）营收将较2025年的16亿美元倍增至32亿美元，今年先进封测全制程相关营收目标年成长3倍，到今年底占整体先进封测业务比重到10%，今年成品测试（FT）占测试业务比重目标至10%。
2月9日，澜起科技（HK:06809）正式在香港联合交易所主板挂牌上市，中金公司、摩根士丹利、瑞银集团担任本次上市的联席保荐人。该股开盘即大涨57%，总市值达2036.7亿港元。当前AI领域需求旺盛，带动公司互连类芯片出货量显著增加，推动其2025年度经营业绩较上年同期实现大幅增长，为其股价表现提供了强劲支撑。2月10日，该股呈现小幅震荡后稳步收涨态势，截至收盘报177.2港元，较前一交易日上涨1.26%，总市值达2148.22亿港元，延续了上市首日的积极态势。
中芯国际 2025 年第四季度财报数据出炉，该季度实现销售收入 24.89 亿美元，较 2025 年第三季度环比增长 4.5%，较 2024 年第四季度同比增长 12.8%；实现毛利 4.78 亿美元，环比减少 8.5%、同比减少 4.2%，毛利率为 19.2%，环比下降 2.8 个百分点、同比下降 3.4 个百分点。展望 2026 年第一季度，中芯国际预计季度收入环比持平，毛利率介于 18% 至 20% 的范围内。
2月10日，联发科官网公布2026年1月营收报告，1月合并营收为469.77亿元新台币（约102.93亿元人民币），环比下降8.37%，同比下降8.15%。
据外媒报道，受去年底服务器 DRAM 与 NAND 闪存价格大幅上涨影响，国内云服务商及超大规模数据中心正加速设备更新，引发需求激增。目前，3 nm相关制程产能普遍紧张，其中英特尔 Intel 3 工艺因量产较晚、产能有限，而 AMD 采用的台积电 N3 工艺虽已成熟稳定，但产能也已饱和。受此影响，英特尔至强 6 系列处理器交付周期长达 6 个月，AMD 第五代 EPYC 处理器也需 10 周左右。预计短期内供应紧张与价格压力仍将持续。
据台媒报道，中国台湾地区DRAM厂商华邦电子总经理陈沛铭近日表示，2026年第一季度DRAM合约价延续暴涨趋势，涨幅近50%。市场需求异常强劲，公司今年所有产能（包括未投产的新增产能）已全部售罄，订单能见度直达2028年。因供应极度紧张，部分客户被迫降低产品规格，如改用低容量或旧版DDR3芯片。
CFM发布最新服务器DDR5内存条价格，相较上季度涨幅超过100%
