英特尔首次展示ZAM内存原型:功耗降低一半,单片容量可达512GB

存储器 2026-02-11 12:55

近日,英特尔首次公开其与软银子公司Saimemory共同研发的“Z-Angle Memory”(ZAM)内存原型,采用错位互连拓扑结构(staggered interconnect topology),在芯片堆叠内部实现对角线走线。英特尔称,这种架构设计能从物理层面有效解决现有内存解决方案面临的散热瓶颈,并大幅优化计算性能。据悉,其功耗相比现有方案降低40% 至 50%,单芯片存储容量最高可达 512GB。

简讯快报

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