其最新的High-NA EUV 曝光机的孔径将从0.33提高到0.55，这将使芯片制造商能够使用超精细图案化技术来制造2nm节点芯片。

近日，广东省半导体及集成电路产业股权投资基金二期合伙企业（有限合伙）成立，执行事务合伙人为广东粤财基金管理有限公司，总出资额110.01亿元人民币。

台积电「提名及公司治理暨永续委员会」推荐副董事长魏哲家博士接任下届董事长，并将以明年六月下届董事会选举结果为主。

据了解，三星电子计划将DRAM和NAND产量较今年分别扩大约24%，SK海力士计划扩大生产，重点关注 HBM 等尖端 DRAM，计划将 DRAM 产量提高到减产前的水平，即去年年底前的水平。

TEL投资者关系部门主管高木纯子日前表示，日本与美国政府的出口管制措施，固然对该公司造成一些影响，但程度远小于原来预期。

台积电熊本新厂主要股东包括持股过半的台积电、持股低于20%的索尼，以及持股约10%的日本电装，新厂建置产能以28/22纳米、16/12纳米为主。

2023年10月份日本印刷电路板(PCB；硬板+软板+模组基板)产量较去年同月大减15.0%至81.4万平方米，连续第21个月陷入萎缩；产额大减23.0%至467.0亿日圆，连续第12个月陷入萎缩，减幅连续第8个月达2位数(10%以上)水准，创今年来第2大减幅(仅低于4月的大减24.7%)。

过去包括2018年，三星曾多次稳坐榜首，但这一次，它输给了Alphabet、Meta、微软、苹果等美国信息通信技术(ICT)公司，甚至落后于华为和大众汽车。

相比第四代产品，其单颗CPU最高支持48个核心、96个线程，最大三级缓存容量达260MB；支持的DDR5内存速度最高达5600MT/s，CPU之间互连的UPI速度最高达20GT/s；基于LINPACK测试，其综合浮点计算性能最高提升近40%。

南亚科技Q4仍维持动态减产20%以内的水准，明年整体位元出货量预计将较今年成长。

目前主流的NAND技术是V-NAND，通过垂直堆叠单元来提高存储容量和性能。然而，随着V-NAND不断小型化，它已经达到了一个阶段，如果没有对原子级别发生的现象有基本的了解，就很难实现创新。