理论上来说，MRAM耗电力可压低至现有存储器(DRAM、NAND Flash)的1/100，且写入速度快、即使切断电源数据也不会消失，不过除了制造成本高之外，与现有存储器相比，其耐久性、可靠性等问题仍需克服，力积电计划通过量产降低MRAM成本。

据悉，该研发中心是为High-NA EUV而兴建，总投资金额1兆韩元（约7.6亿美元），最快于2027年引进设备，因需经过许可流程，最快将于2024年12月或2025年动工。

关于12英寸厂计划，世界先进董事长方略表示，因投资需要庞大资金，会谨慎小心，内部认真评估考虑，也做很多准备，客户需求承诺及财务状况是考量重点。

迄今为止，韩美半导体仅HBM的双 TC 键合机已累计收到 1,872 亿韩元的订单，继去年下半年收到的订单为 1,012 亿韩元。

报道称，该工厂预计耗资 220 亿美元。但SK海力士表示，“我们目前正在考虑在美国进行可能的投资，但尚未做出最终决定。”

据外媒报道，由于市场需求问题和美国政府资金的延误，英特尔正在将其在俄亥俄州价值 200 亿美元的晶圆厂的建设时间表推迟至 2026 年末。

京瓷将今年度设备投资额(资本支出)目标自原先预估的1,700亿日圆下修至1,600亿日圆。此也为京瓷继去年11月之后、第2度下修资本支出。

佳能首先会将应用目标放在3D NAND工艺制造，而不是更加复杂的微处理器。另外，武石洋明强调，佳能的目的不是要抢走EUV的市占，而是相信，纳米压印技术与EUV乃至其他种类的技术能够并存。

据韩媒报道，SK海力士正在考虑从400多层NAND开始应用混合键合技术，即将两片晶圆键合起来打造3D NAND产品。而三星电子正计划将混合键合应用于NAND V11和V12的量产。

高通QCT事业细部数据显示，2024会计年度第1季手机芯片营收年增16%至66.87亿美元，这是智能手机市场在经历两年下滑后的正面信号。高通预计全球手机销量将与去年同期持平。

澜起科技近期投资者关系活动记录表显示，2023年第四季度，公司DDR5第二子代RCD芯片出货量较第三季度有所提升。预计2024年DDR5第二子代RCD芯片的需求将超过第一子代RCD芯片。