权威的存储市场资讯平台English

欢迎来到CFM闪存市场! 请 登录 | 忘记密码 | 免费注册 | 帮助

回到首页 当前位置:产业资讯

据日媒最新消息,铠侠预计将在11月22日获得东京证券交易所(以下简称东证)的上市许可,顺利的话将在12月中旬挂牌上市,市值预估为7,500亿日圆(约合48.6亿美元),远低于此前设定的1.5兆日圆以上的目标。

SEMI表示,第三季度消费、汽车和工业领域复苏速度较慢,但AI数据中心投资需求强劲,是驱动第3季IC销售额成长主要动能。预计今年全年IC销售额可望成长超过20%,主要是数据中心存储强劲需求带动存储芯片价格改善所驱动。

英伟达在中国的数据中心收入连续增长,但在数据中心总收入中所占的比例仍远低于出口管制开始前的水平,预计未来中国市场的竞争仍将非常激烈。

受行业周期好转的影响,11月前20天韩国半导体出口额同比增长42.5%,达77.1亿美元,占同期全国出口总额的 21.6%,比去年同期上升了5.6 个百分点。

此次321层产品与上一代相比,数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%,并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士将以321层NAND闪存积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场,并逐渐扩大其应用范围。

除了特斯拉,三星电子和SK海力士还在为谷歌、Meta和微软等美国大型科技公司开发定制的HBM4芯片,这些公司一直在寻求降低对英伟达AI芯片的依赖。

群联电子于2023年开始筹备 ISO/SAE 21434 认证,约一年内完成认证流程。

MRDIMM的另一大亮点在于其卓越的易用性,采用与常规 RDIMM 相同的连接器和外形尺寸,仅需将小型多路复用芯片安装于先前模块上的空闲位置,即可实现升级,无需对主板进行任何改动。

NRD-K 将配备High-NA EUV光刻和新材料沉积设备,旨在加速开发下一代存储器半导体,例如3D DRAM 和具有 1,000 层以上的 V-NAND。此外,还计划对接具有创新晶圆对晶圆键合功能的晶圆键合基础设施。

目前HBM制造商正积极推动在第六代HBM(HBM4)中,引入无助焊剂键合技术。其中,美光动作最为积极,已开始与合作伙伴测试新制程;SK海力士正在评估无助焊剂键合技术;三星电子也正在密切关注相关技术。

对于上述消息,英伟达发言人回应称,公司正与顶尖云端服务供应商合作,工程方面的调整「正常且符合预期」。

展望全年,预计台湾地区今年半导体总产值将达新台币5.3兆元,成长22%;IC制造业产值可望成长27.5%,IC设计业将成长16.5%,IC封装业成长8.6%,IC测试业成长5.2%。

威刚财报显示,截至今年第三季底为止,威刚库存金额达169亿元(新台币,下同),相较于第2季底的179亿元已有降低,相当于DRAM库存约4~5个月,NAND则处于安全水位,库存水位约10周,由于需求没有增加,也没有出现...

目前其具体计划,如晶圆厂引进设备或追加投资方向等尚未透露,但预计最早可应用于0a(个位数纳米级)DRAM产品的量产。

ASML预计美国将继续加大压力,进一步限制向中国的销售。明年中国市场的销售额将占到公司总收入的20%左右,而第三季度中国市场的销售额几乎占到一半。

股市快讯 更新于: 05-11 13:54,数据存在延时

存储原厂
三星电子54800KRW+0.37%
SK海力士190100KRW-0.11%
铠侠2046JPY+5.85%
美光科技85.860USD+0.83%
西部数据44.100USD-0.45%
闪迪37.740USD+2.95%
南亚科34.35TWD-1.72%
华邦电子15.55TWD-0.32%
主控厂商
群联电子462.0TWD+0.11%
慧荣科技53.540USD+1.42%
联芸科技40.59CNY-3.63%
点序54.0TWD+1.69%
国科微69.09CNY-1.27%
品牌/模组
江波龙77.56CNY-2.82%
希捷科技95.710USD-0.61%
宜鼎国际234.0TWD0.00%
创见资讯96.9TWD+0.41%
威刚科技86.3TWD-0.23%
世迈科技17.610USD-1.34%
朗科科技24.73CNY-4.48%
佰维存储62.00CNY-4.20%
德明利123.50CNY-3.82%
大为股份14.31CNY-2.05%
封测厂商
华泰电子32.05TWD+1.75%
力成114.0TWD+2.70%
长电科技33.69CNY-1.69%
日月光137.5TWD0.00%
通富微电25.69CNY-2.32%
华天科技9.39CNY-1.88%