报道称,三星电子计划在今年下半年推出第五代 HBM 芯片 HBM3P,并在明年将目前的 HBM 产能提高一倍以上,并提供先进封装服务。

十铨科技宣布,已与美国知名代理商ASI Computer Technologies 展开合作,旨在持续深耕北美市场,结合ASI Computer Technologies在美洲市场超过35年的代理商经历以及广泛的经销资源,携手抢攻十铨科技在北美地区市占率。

三星电子正在加紧努力,增强下一代NAND闪存的竞争力。为了明年彻底改变NAND核心设备供应链,各大NAND生产基地都在积极进行设备运行测试。

今年年初三星电子NAND库存超过20周,最高飙升至28周,但最近已降至18周,有达到顶点后下降的趋势。

澜起科技的CXL内存扩展控制器(MXC)芯片成功通过了CXL联盟组织的CXL1.1合规测试,被列入CXL官网的合规供应商清单。

固件更新并没有解决产品的原有问题,断开连接的问题还未解决,还出现了随机故障。西部数据也因此被告上法庭,原告称驱动器故障问题影响了美国数十万人。

十铨表示,工业产品线的极宽温存储产品系列均通过了验证实验室的ISO-16750 Road vehicles - 5.1.2 高温测试和AEC-Q104-Temperature Cycling测试。

据媒体报道,三星电子为保持其在NAND flash上的成本竞争优势,计划在300层以上堆叠的3D NAND中继续采用双次堆叠(double-stack)技术。

按出口地区来看,对日出口时隔10个月由降转增,增幅为23.2%。对华、对越南、对美国、对欧盟的出口分别减少27.7%、18.6%、28.3%、24.9%。

据悉,三星电子P1 NAND Line是主打V6 NAND的生产线。V6代表第六代,即128层NAND Flash。128层V-NAND系列工艺相对成熟。

截至今年6月底,负责三星电子半导体业务的DS部门的库存为336,896亿韩元, SK海力士为164,202亿韩元。与去年底相比,分别增长15.9%和4.8%。

三星在一份声明中表示:“与堆叠八个 32 TB SSD 相比,尽管存储相同数量的数据,一个 256 TB SSD 的功耗大约要低七倍。”

PBlaze7 7940系列PCIe 5.0企业级NVMe SSD可提供2,800K IOPS的4K随机读性能,700K IOPS的4K随机写性能,分别达上一代PCIe 4.0主流产品的2.5倍和1.7倍。

据韩媒引述业界人士消息称,三星电子正在针对NAND最大生产基地平泽和西安厂区进行产线稼动率调节,与此前仅在非主力生产线减少产量不同,三星电子高层认为与DRAM相比,NAND库存仍处于较高水位,对最大生产基地减少晶圆投入量可望有效降低NAND库存。

目前在DRAM领域应用晶圆到晶圆 (W2W) 技术的研究非常活跃,因为 W2W 混合接合解决方案的应用可以提高高带宽内存等产品的生产率。

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