JEDEC固态技术协会发布的通用闪存（UFS）标准2.0版专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本，新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以提高性能，延伸安全功能，并进一步降低功耗。

随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩，技术瓶颈越发凸显，3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀，上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。

早期智能型手机内嵌存储主流方案为NAND MCP，是将SLC NAND Flash与低功耗 DRAM封装在一起。该方案具有生产成本低、技术相对成熟等优势。NAND MCP目前主要应用在低端的智能型手机产品中。

DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200 266 333 400。

DRAM按照产品规格可分为标准型DRAM、利基型DRAM及Mobile DRAM三种。一般而言，用于PC/NB上的为标准DRAM；而利基型DRAM多用于液晶电视、数字机顶盒、红光/蓝光播放机等消费型电子与网络通讯相关产品。

eMMC为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机产品为主，eMMC采用统一的MMC标准接口，将存储芯片（NAND Flash）及其控制芯片（Controller）封装在一颗BGA芯片内。

东芝Flash颗粒编号信息

USB3.0超高速接口的实际传输速率大约是3.2Gbps（即400MB/S)。理论上的最高速率是5Gbps（即625MB/S）。

USB从1996年USB 1.0到2010年USB 3.0，理论上速度从1.5Mbps大幅提升到最大传输带宽5.0Gbps，也就是625MB/s，速度的提升显然易见。USB3.0兼容USB2.0传输速度，支持USB 2.0的三种传输速度--低速1.5Mbp

USB 3.0具有后向兼容标准，兼容USB1.1和USB2.0标准，具传统USB技术的易用性和即插即用功能。USB3.0技术的目标是推出比USB2.0快10倍以上的产品，采用与有线USB相同的架构。

简单来讲，USB3.0技术的核心优势有三：更高速度，向下兼容性，提供更大供电能力。

1.什么是USB 3.0？2.比USB 2.0快么？3.USB 3.0是如何做到这么快的？4.USB 3.0还有哪些更先进的地方？5.我现有的外设能够正常工作吗？....

USB协议说来话长。第一版USB 1.0是在1996年出现的，速度只有1.5Mbps；

因应MCU成长快速及程序数据储存需要，MCU内嵌Flash内存设计成为主流趋势，MCU大厂也纷纷以购并或结盟掌握内嵌Flash的相关IP与制程技术。本文将探讨内嵌Flash IP制程技术，为下一代Flash MCU带来的技术变革。

UHS-I(Ultra High Speed Phase I)规格是SD协会定义的SD 3.0超高速闪存卡规格接口，针对速度最快的SDXC和SDHC的闪存卡，推出两个全新的高速性能符号。第一个符号「UHS-I」，是用来表示总线界面速度高达104 MB/s、