NAND Flash厂商主要是三星（Samsung）、东芝（Toshiba）/闪迪（SanDisk）、美光（Micron）、SK海力士（SK Hynix）5家，原厂生产出来的Wafer按照品质差异、封装测试形成市面上所谓的原装片、自封品牌、白片、黑片等。

3D XPoint由英特尔和美光合作研发及生产，延迟水平以纳秒计算，这远超NAND Flash以微秒计算的延迟水平，除性能指标大幅提升之外，耐用性也将提高1000倍，这也就意味着当前困扰NAND Flash的写入性能下降和闪存耐久...

智能手机、平板机的存储介质目前以eMMC/eMCP为主流存储方案，eMMC将主控制器、NAND Flash颗粒整合到了一个小的BGA封装内，有效的解决了NAND Flash管理问题。随着市场的发展，技术的进步，速度也不断提升。

JEDEC固态技术协会发布的通用闪存（UFS）标准2.0版专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本，新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以提高性能，延伸安全功能，并进一步降低功耗。

随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩，技术瓶颈越发凸显，3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀，上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。

早期智能型手机内嵌存储主流方案为NAND MCP，是将SLC NAND Flash与低功耗 DRAM封装在一起。该方案具有生产成本低、技术相对成熟等优势。NAND MCP目前主要应用在低端的智能型手机产品中。

DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200 266 333 400。

DRAM按照产品规格可分为标准型DRAM、利基型DRAM及Mobile DRAM三种。一般而言，用于PC/NB上的为标准DRAM；而利基型DRAM多用于液晶电视、数字机顶盒、红光/蓝光播放机等消费型电子与网络通讯相关产品。

eMMC为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机产品为主，eMMC采用统一的MMC标准接口，将存储芯片（NAND Flash）及其控制芯片（Controller）封装在一颗BGA芯片内。

东芝Flash颗粒编号信息

USB3.0超高速接口的实际传输速率大约是3.2Gbps（即400MB/S)。理论上的最高速率是5Gbps（即625MB/S）。

USB从1996年USB 1.0到2010年USB 3.0，理论上速度从1.5Mbps大幅提升到最大传输带宽5.0Gbps，也就是625MB/s，速度的提升显然易见。USB3.0兼容USB2.0传输速度，支持USB 2.0的三种传输速度--低速1.5Mbp

USB 3.0具有后向兼容标准，兼容USB1.1和USB2.0标准，具传统USB技术的易用性和即插即用功能。USB3.0技术的目标是推出比USB2.0快10倍以上的产品，采用与有线USB相同的架构。