USB协议说来话长。第一版USB 1.0是在1996年出现的，速度只有1.5Mbps；

因应MCU成长快速及程序数据储存需要，MCU内嵌Flash内存设计成为主流趋势，MCU大厂也纷纷以购并或结盟掌握内嵌Flash的相关IP与制程技术。本文将探讨内嵌Flash IP制程技术，为下一代Flash MCU带来的技术变革。

UHS-I(Ultra High Speed Phase I)规格是SD协会定义的SD 3.0超高速闪存卡规格接口，针对速度最快的SDXC和SDHC的闪存卡，推出两个全新的高速性能符号。第一个符号「UHS-I」，是用来表示总线界面速度高达104 MB/s、

在记忆卡分级制度上，为了更精准瞄准各种消费者族群的需求，也简单而言分为3个等级，包括Standard Class 2、Premium Class 6和Ultimate Class 10，同样是根据SD卡的读写速度来做区分。

Seagate Momentus XT 搭载了 7200rpm 2.5寸硬碟，除了内建了媲美 3.5寸硬碟的 32MB DRAM cache 外，还独特的加上了 4GB 的高速 SLC NAND flash。

东京大学研究生院工学系研究科电气系工学专业副教授竹内健与日本产业技术综合研究所的研究小组，开发出了驱动电压仅为1V、功耗可比原来降低86％的 NAND闪存技术。

致力于新存储器技术开发的风险企业 Unity Semiconductor公司，宣称已开发出一种可取代NAND快闪存储器的技术，为记忆卡和固态硬盘（SSD）提供了新的储存媒介选择。

韩国教育科学技术部评选出了五位拥有顶尖技术有望推动韩国科学达到新水平的科学家。在物理学领域的教授韩国首尔国立大学物理专门学部的卢泰元(노태원)教授被授予了韩国国家科学家的称号。

相变化存储器名称有很多种，包括PCM)、PRAM等，全球的相变化存储器分为3大阵营，包括恒忆(Numonyx)／英特尔三星、旺宏／IBM等，其中恒忆和旺宏都称为PCM，三星的产品则称为PRAM。

USB 3.0薄型记忆卡的优点是高速、省电、传输速度快、体积小，且重点是免收权利金，目前容量由16GB起跳，最高可达2,048GB容量，是目前成长潜力最高的传输接口。

一直到2009年TLC(Triple-Level Cell)时代，1个记忆体储存单元可存放3位元。驱动NAND Flash价格不断下降，也使得快闪记忆卡，尤其是小型记忆卡microSD的容量越来越大。

闪存主要是由闪存芯片、主控芯片、晶振、PCB板等部件组成的。其中主控芯片相当于闪存的“灵魂”，它控制着闪存的工作。

固态硬盘(Solid State Disk)，是由控制单元和存储单元(闪存芯片)构成，简单的说就是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘

闪存应用知识问答

为了获得更好的节电性能，MMC协会推出了既能在低电压下工作又能兼容原有RS-MMC的存储卡--MMC moboile，它能在1.65～19.5V和2.7～3.6V电压两种模式下工作，理论传输速度最高可达52MB/s。