Trim命令使SSD的垃圾回收效率更高,写性能,寿命也就相应得到了提高。
三星推出一款容量高达256GB全新的UFS存储卡,其读取速度上完全碾压现有Micro SD(TF卡)闪存卡。有不少人认为未来UFS存储卡将会取代TF卡的“江湖地位”。
三星公司已经开始量产其48层(即单NAND内48层单元,属于第三代升级技术)3D V-NAND芯片,预计其将被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)等SSD产品。
非盈利机构USB开发者论坛(USB-IF)今天正式宣布了USB Type-C认证规范,该软件协议能够为USB-C产品筑起一道安全防线,确保使用非兼容USB-C线缆进行充电的时候不会对产品造成损坏。
随着科技的发展,台式机/笔记本处理器(CPU)、内存条等配置越来越高,而HDD提升速度有限,导致硬盘与处理器之间数据的输入/输出成为台式机/笔记本性能提升的最大瓶颈,而SSD主流的SATAIII接口速度可达到600MB/S...
谈到SSD总会出现SATAII、SATAIII、PCIe Gen1x1(同PCIe Gen1.0x1)、PCIe Gen2x2(同PCIe Gen2.0x2)、AHCI及NVMe等专属名词,在这里小编也给大家做个简单的讲解。
在存储领域,尤其是在产品容量上,常用的单位容易混淆。
USB Type-C是一个受人欢迎的全新接口标准,但想要清楚地对其进行解释可不是件容易的事。Type-C被描述为10Gbps USB 3.1配置的一种“补充”,但它其实还能支持USB 2.0或3.0。
NAND Flash厂商主要是三星(Samsung)、东芝(Toshiba)/闪迪(SanDisk)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)5家,原厂生产出来的Wafer按照品质差异、封装测试形成市面上所谓的原装片、自封品牌、白片、黑片等。
3D XPoint由英特尔和美光合作研发及生产,延迟水平以纳秒计算,这远超NAND Flash以微秒计算的延迟水平,除性能指标大幅提升之外,耐用性也将提高1000倍,这也就意味着当前困扰NAND Flash的写入性能下降和闪存耐久...
智能手机、平板机的存储介质目前以eMMC/eMCP为主流存储方案,eMMC将主控制器、NAND Flash颗粒整合到了一个小的BGA封装内,有效的解决了NAND Flash管理问题。随着市场的发展,技术的进步,速度也不断提升。
JEDEC固态技术协会发布的通用闪存(UFS)标准2.0版专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本,新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以提高性能,延伸安全功能,并进一步降低功耗。
存储原厂 |
三星电子 | 76700 | KRW | +0.52% |
SK海力士 | 177800 | KRW | +4.22% |
美光科技 | 114.84 | USD | +2.92% |
英特尔 | 31.88 | USD | -9.20% |
西部数据 | 71.36 | USD | +2.76% |
南亚科 | 65.7 | TWD | +0.15% |
主控供应商 |
群联电子 | 710 | TWD | +2.01% |
慧荣科技 | 73.35 | USD | +0.58% |
美满科技 | 69.62 | USD | +3.17% |
点序 | 77.6 | TWD | -0.64% |
国科微 | 48.61 | CNY | +2.06% |
品牌/模组 |
江波龙 | 97.81 | CNY | -0.03% |
希捷科技 | 86.04 | USD | -1.40% |
宜鼎国际 | 286.5 | TWD | +1.24% |
创见资讯 | 91.4 | TWD | +1.44% |
威刚科技 | 99.1 | TWD | +0.41% |
世迈科技 | 18.34 | USD | -0.81% |
朗科科技 | 26.05 | CNY | +4.58% |
佰维存储 | 51.53 | CNY | +4.74% |
德明利 | 100.60 | CNY | +7.23% |
大为股份 | 11.23 | CNY | +1.91% |
封装厂商 |
华泰电子 | 62.9 | TWD | +0.48% |
力成 | 173 | TWD | 0% |
长电科技 | 25.17 | CNY | +3.54% |
日月光 | 142.5 | TWD | -1.72% |
通富微电 | 21.12 | CNY | +5.55% |
华天科技 | 7.87 | CNY | +3.42% |
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