垂直分层闸流体(Vertical Layered Thyristor；VLT)，是Kilopass研发出的新型内存单元，能够显著降低动态随机存取内存(DRAM)的成本和复杂性。

Trim命令使SSD的垃圾回收效率更高，写性能，寿命也就相应得到了提高。

三星推出一款容量高达256GB全新的UFS存储卡，其读取速度上完全碾压现有Micro SD（TF卡）闪存卡。有不少人认为未来UFS存储卡将会取代TF卡的“江湖地位”。

三星公司已经开始量产其48层（即单NAND内48层单元，属于第三代升级技术）3D V-NAND芯片，预计其将被用于SSD T3（mSATA接口加850 EVO V2）、NVMe SSD（PM971-NVMe）以及企业级SSD（PM1633a）等SSD产品。

非盈利机构USB开发者论坛（USB-IF）今天正式宣布了USB Type-C认证规范，该软件协议能够为USB-C产品筑起一道安全防线，确保使用非兼容USB-C线缆进行充电的时候不会对产品造成损坏。

随着科技的发展，台式机/笔记本处理器（CPU）、内存条等配置越来越高，而HDD提升速度有限，导致硬盘与处理器之间数据的输入/输出成为台式机/笔记本性能提升的最大瓶颈，而SSD主流的SATAIII接口速度可达到600MB/S...

谈到SSD总会出现SATAII、SATAIII、PCIe Gen1x1(同PCIe Gen1.0x1)、PCIe Gen2x2（同PCIe Gen2.0x2）、AHCI及NVMe等专属名词，在这里小编也给大家做个简单的讲解。

在存储领域，尤其是在产品容量上，常用的单位容易混淆。

USB Type-C是一个受人欢迎的全新接口标准，但想要清楚地对其进行解释可不是件容易的事。Type-C被描述为10Gbps USB 3.1配置的一种“补充”，但它其实还能支持USB 2.0或3.0。

NAND Flash厂商主要是三星（Samsung）、东芝（Toshiba）/闪迪（SanDisk）、美光（Micron）、SK海力士（SK Hynix）5家，原厂生产出来的Wafer按照品质差异、封装测试形成市面上所谓的原装片、自封品牌、白片、黑片等。

3D XPoint由英特尔和美光合作研发及生产，延迟水平以纳秒计算，这远超NAND Flash以微秒计算的延迟水平，除性能指标大幅提升之外，耐用性也将提高1000倍，这也就意味着当前困扰NAND Flash的写入性能下降和闪存耐久...

智能手机、平板机的存储介质目前以eMMC/eMCP为主流存储方案，eMMC将主控制器、NAND Flash颗粒整合到了一个小的BGA封装内，有效的解决了NAND Flash管理问题。随着市场的发展，技术的进步，速度也不断提升。