各家原厂NAND Flash命名规则各不相同，通过对产品编码的解读可对芯片品质了解更多。本文整理了部分美光NAND Flash编码以供参考。

NVMe(NVM Express)接口正在成为带内(in-band)主软件(host software)与PCIe SSD间通讯的产业标准，新增NVMe管理接口(NVMe-MI)，定义管理NVMe存储的架构与指令集，支持以带外(out-of-band)方式

NVMe SSD 厂商Spec给出的性能非常完美，前面也给出了NVMe SSD和磁盘之间的性能对比，NVMe SSD的性能的确比磁盘高很多。但在实际应用过程中，NVMe SSD的性能可能没有想象中的那么好，并且看上去不是特别的稳定，找...

和磁盘相比，NVMe SSD最大的变化在于存储介质发生了变化。目前NVMe SSD普遍采用3D NAND Flash作为存储介质。NAND Flash内部有多个存储阵列单元构成，采用floating gate或者charge trap的方式存储电荷，通过存

3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND)，而3D NAND，顾名思义，即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房，那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化，意味着每个...

FTL算法的好坏，直接决定了SSD在性能（Performance）、可靠性（Reliability）、耐用性（Endurance）等方面的好坏，FTL可以说是SSD固件的核心组成。

“MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写

USB3.0的技术目前已经相当成熟，而且其产品也非常普及，但在使用的过程中，你是否会感觉设备跑起来并没有你想象当中的那么快？

随着科技的发展，手机已成为当下必不可少的移动设备，其配置从当初的单颗发展到八核甚至是十核，功能也越来越强大，高端旗舰机对存储芯片的标配从eMMC向UFS升级，并开始在千元机机型中普及。

纠错能力是一个SSD质量的重要指标。最开始的NAND 每个存储单元只放一个bit，叫SLC，后来又有了MLC，现在的主流的是TLC。