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如何通过美光FBGA Code查询Part numbering

编辑:Helan 发布:2019-02-28 13:15

我们经常可以看到DRAM和NAND Flash芯片上有很多字符,我们可以通过以下方式获取更多的信息,比如生产日期,芯片编码、生产地,容量等信息。

microSD Express规范发布:最高速度985MB/s

编辑:Helan 发布:2019-02-26 17:47

SD协会在MWC2019大会宣布microSD Express规范,将PCIe 3.1总线和NVMe 1.3接口协议引入传统microSD卡中,使得最高理论传输速度可达985MB/s。

PCIe 5.0规范今年制定:速率再翻倍 128GB/s带宽

编辑:Helan 发布:2019-01-21 15:20

PCIe推进组织PCI-SIG批准了PCIe 5.0的0.9版规范,这意味着离正式版规范不远了。通常来说,在0.4版规范时厂商可以开始设计终端产品,0.9版规范时会发布产品。

USB Type-C规格及认证解决方案解析

编辑:Helan 发布:2019-01-04 11:46

近日USB Implementers Forum(USB标准组织,简称USB-IF)宣布推出USB Type-C认证计划,该计划为USB Type-C充电器和设备带来基于加密的认证。新项目将使设备能够阻止接入未经认证的USB充电器。主设备可以在插入电...

如何从美光NAND Flash编码分辨品质

编辑:Helan 发布:2019-01-03 16:23

各家原厂NAND Flash命名规则各不相同,通过对产品编码的解读可对芯片品质了解更多。本文整理了部分美光NAND Flash编码以供参考。

NVMe规格新增管理接口标准 支持远程带外管理

编辑:Helan 发布:2019-01-03 14:59

NVMe(NVM Express)接口正在成为带内(in-band)主软件(host software)与PCIe SSD间通讯的产业标准,新增NVMe管理接口(NVMe-MI),定义管理NVMe存储的架构与指令集,支持以带外(out-of-band)方式

NVMe SSD 厂商Spec给出的性能非常完美,前面也给出了NVMe SSD和磁盘之间的性能对比,NVMe SSD的性能的确比磁盘高很多。但在实际应用过程中,NVMe SSD的性能可能没有想象中的那么好,并且看上去不是特别的稳定,找...

详解NVMe SSD各个硬件的功能和作用

编辑:Helan 发布:2018-11-09 11:39

和磁盘相比,NVMe SSD最大的变化在于存储介质发生了变化。目前NVMe SSD普遍采用3D NAND Flash作为存储介质。NAND Flash内部有多个存储阵列单元构成,采用floating gate或者charge trap的方式存储电荷,通过存

什么是3D NAND?与2D NAND相比有什么优势?

编辑:Helan 发布:2018-11-06 12:39

3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND),而3D NAND,顾名思义,即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房,那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化,意味着每个...

SSD核心技术FTL算法,对SSD有哪些影响

编辑:Helan 发布:2018-10-19 14:52

FTL算法的好坏,直接决定了SSD在性能(Performance)、可靠性(Reliability)、耐用性(Endurance)等方面的好坏,FTL可以说是SSD固件的核心组成。

什么是MRAM?

编辑:Helan 发布:2018-08-14 18:50

“MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写

USB3.0快不起来?或是UASP作怪!

编辑:Helan 发布:2018-08-13 16:17

USB3.0的技术目前已经相当成熟,而且其产品也非常普及,但在使用的过程中,你是否会感觉设备跑起来并没有你想象当中的那么快?

UFS像是手机里的SSD,主控有哪些挑战?

编辑:Helan 发布:2018-08-07 15:57

随着科技的发展,手机已成为当下必不可少的移动设备,其配置从当初的单颗发展到八核甚至是十核,功能也越来越强大,高端旗舰机对存储芯片的标配从eMMC向UFS升级,并开始在千元机机型中普及。

LDPC在SSD中的重要性

编辑:Helan 发布:2018-07-25 17:31

纠错能力是一个SSD质量的重要指标。最开始的NAND 每个存储单元只放一个bit,叫SLC,后来又有了MLC,现在的主流的是TLC。

LPDDR5、UFS 3.0存储介绍:我们何时能用上?

编辑:Helan 发布:2018-07-02 15:16

相较于处理器芯片,存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结,LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。

股市快讯 更新于: 12-23 11:03,数据存在延时

存储原厂
三星电子53700KRW+1.32%
SK海力士172200KRW+2.20%
铠侠1618JPY-5.10%
美光科技90.120USD+3.48%
西部数据60.240USD+1.04%
南亚科30.95TWD+1.81%
华邦电子15.30TWD+2.00%
主控厂商
群联电子478.0TWD+3.02%
慧荣科技53.900USD+1.26%
联芸科技44.86CNY+4.69%
点序45.35TWD+0.78%
国科微74.61CNY+1.33%
品牌/模组
江波龙96.78CNY+1.60%
希捷科技87.310USD-0.26%
宜鼎国际213.5TWD+1.43%
创见资讯90.7TWD+1.91%
威刚科技78.9TWD0.00%
世迈科技18.510USD+0.82%
朗科科技22.35CNY-2.10%
佰维存储67.30CNY-0.50%
德明利94.12CNY+1.86%
大为股份12.82CNY-1.99%
封测厂商
华泰电子34.40TWD+1.18%
力成123.0TWD+1.23%
长电科技39.49CNY-1.23%
日月光161.5TWD+2.54%
通富微电29.65CNY-1.76%
华天科技12.10CNY-0.82%