相较于处理器芯片，存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。

当前128/256GB的存储容量，已经成为了许多旗舰智能机的一个选项。而在一些支持存储扩展的设备上，某些厂商甚至标出了“最大支持 2TB microSD 存储卡”的字样。

SATA-IO组织宣布推出最新的SATA Revision 3.4版标准规范，重点引入了设备状态监视、清理任务执行等特性，对性能影响极小。

HMB全称Host Memory Buffer，即主机内存缓冲技术，可使得SSD可以在无缓存的情况下，借助内存的高速读写特性来提升自身性能，最终达到与自带缓存SSD鼓旗相当的性能。

原厂将Good Die进行堆叠封装成不同NAND Flash芯片，然后再与控制芯片封装在一起，生产eMMC产品，eMCP则是将eMMC与LPDDR进行多芯片封装，然后用于手机、平板、智能盒子等终端产品中。SSD则是在PCBA板上贴一片或数...

USB 3.1 Gen.2接口已经广泛普及，10Gbps(1.25GB/s)的高带宽已经相当充裕，但技术进步没有极限，新一代USB 3.2标准规范其实在2017年9月底就正式公布了，Synopsys(新思科技)现在第一次公开演示了USB 3.2。

HBM（High bandwidth memory）是一款新型的CPU/GPU内存芯片（即“RAM”），就像摩天大厦中的楼层一样可以垂直堆叠。

SSD品质的优劣主要取决于NAND Flash颗粒的品质，市面上的NAND Flash颗粒分为四个等级，其品质：原装片 > 自封品牌 > 白片 > 黑片/拆机片/翻新片。

虽然之前eMCP因为封装尺寸限制，导致大容量无法保证良率，但随着封装工艺的进步，以及原厂技术向3D NAND普及后，单颗Die容量可提高到512Gb，128GB容量eMCP只需2颗Die堆叠，完全可满足手机存储需求，而且三星、美...

固态技术协会（JEDEC）已发布了Universal Flash Storage （UFS&UFSHCI）v3.0标准（JESD220D、JESD223D）和UFS存储卡v1.1标准（JESD220-2A）。UFS 3.0引入了HS-G4规

PCI-SIG组织正式发布PCIe 4.0规范，版本号v1.0。传输速率定义为16GT/s，比3.0翻番，而下一代的5.0则继续翻番到32GT/s。

7 月份的时候，有关 USB 3.2 即将到来的报道就已经出来了。与 USB 3.0 / 3.1 相比，尽管 USB 3.2 只是个普通计算机用户没理由去关心的“增量更新”，但它的部分特性还是令人激动不已。

行业技术联盟USB 3.0 Promoter Group今天公布了USB 3.2标准，USB 3.2将替代目前的USB 3.1标准。USB 3.0 Promoter Group 组织包含苹果、惠普、英特尔、微软和其他科技公司。

PCI-SIG标准组织在开发者大会上宣布，已经确定32GT/s为下一代PCI-E 5.0标准架构的传输速度——1GT/s相当于每秒10亿次传输，32GT/s那就是每秒320亿次传输。目前普及的PCI-E 3.0的传输速率为8GT/s，下一代PCI-E 4.