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LPDDR5、UFS 3.0存储介绍:我们何时能用上?

编辑:Helan 发布:2018-07-02 15:16

相较于处理器芯片,存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结,LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。

7.0规范发布:SD Express将存储卡容量拓展至128TB

编辑:Helan 发布:2018-06-27 15:44

当前128/256GB的存储容量,已经成为了许多旗舰智能机的一个选项。而在一些支持存储扩展的设备上,某些厂商甚至标出了“最大支持 2TB microSD 存储卡”的字样。

SATA 3.4标准正式发布

编辑:Helan 发布:2018-06-26 15:56

SATA-IO组织宣布推出最新的SATA Revision 3.4版标准规范,重点引入了设备状态监视、清理任务执行等特性,对性能影响极小。

什么是HMB技术?对SSD有何影响?

编辑:Helan 发布:2018-05-31 16:56

HMB全称Host Memory Buffer,即主机内存缓冲技术,可使得SSD可以在无缓存的情况下,借助内存的高速读写特性来提升自身性能,最终达到与自带缓存SSD鼓旗相当的性能。

从沙子到Wafer,都经历了哪些环节?

编辑:Helan 发布:2018-05-29 19:36

原厂将Good Die进行堆叠封装成不同NAND Flash芯片,然后再与控制芯片封装在一起,生产eMMC产品,eMCP则是将eMMC与LPDDR进行多芯片封装,然后用于手机、平板、智能盒子等终端产品中。SSD则是在PCBA板上贴一片或数...

USB 3.2全球首演:速度再翻番达20Gbps

编辑:Helan 发布:2018-05-29 15:14

USB 3.1 Gen.2接口已经广泛普及,10Gbps(1.25GB/s)的高带宽已经相当充裕,但技术进步没有极限,新一代USB 3.2标准规范其实在2017年9月底就正式公布了,Synopsys(新思科技)现在第一次公开演示了USB 3.2。

什么是HBM?有什么特点!

编辑:Helan 发布:2018-05-22 15:22

HBM(High bandwidth memory)是一款新型的CPU/GPU内存芯片(即“RAM”),就像摩天大厦中的楼层一样可以垂直堆叠。

如何分辨SSD品质的优劣?

编辑:Helan 发布:2018-03-15 12:56

SSD品质的优劣主要取决于NAND Flash颗粒的品质,市面上的NAND Flash颗粒分为四个等级,其品质:原装片 > 自封品牌 > 白片 > 黑片/拆机片/翻新片。

eMCP为何在中低端智能型手机中被广泛应用?

编辑:Helan 发布:2018-03-15 12:46

虽然之前eMCP因为封装尺寸限制,导致大容量无法保证良率,但随着封装工艺的进步,以及原厂技术向3D NAND普及后,单颗Die容量可提高到512Gb,128GB容量eMCP只需2颗Die堆叠,完全可满足手机存储需求,而且三星、美...

SpecTek NAND Flash编号信息_更新

编辑:Helan 发布:2018-03-15 12:17

股市快讯 更新于: 09-25 08:12,数据存在延时

存储原厂
三星电子77300.00KRW-0.13%
SK海力士104000.00KRW-1.42%
美光科技74.05USD+0.01%
英特尔54.22USD+0.35%
西部数据57.94USD+0.78%
紫光股份25.40CNY-0.24%
南亚科64.9TWD+0.78%
主控供应商
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慧荣科技75.07USD-0.07%
美满科技63.61USD+0.27%
点序129TWD+3.20%
国科微128.34CNY+6.07%
品牌/销售
希捷科技86.08USD+1.22%
宜鼎国际197TWD+1.29%
创见资讯68.1TWD+0.15%
威刚科技83.1TWD-0.12%
朗科科技12.89CNY-4.23%
封装厂商
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力成106TWD0.00%
长电科技32.00CNY-1.99%
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通富微电19.20CNY-0.88%
华天科技12.40CNY-1.20%