编辑:Helan 发布:2018-07-25 17:31
NAND 会出错
纠错能力是一个SSD质量的重要指标。最开始的NAND 每个存储单元只放一个bit,叫SLC,后来又有了MLC,现在的主流的是TLC。存储密度不断增加的同时,器件尺寸变小,存储单元电气耦合性变得很复杂。比如氧化层变得很薄,比如读取单个bit需要的读电压控制能力更精密等,总的来说,NAND flash更容易出错了,或者说NAND 上的噪声增加了。
RBER (Raw Bit Error Rate)是衡量NAND质量的重要参数。给定RBER,可以比较各种纠错算法的有效性。
LDPC 软判决算法由于有更多的信道信息,相对于BCH 和硬判决LDPC 算法更有优势。所以目前主流的SSD 控制器都采用LDPC 作为纠错算法。
NAND 纠错模型
我们存储进NAND的信息通过电子储存起来,读的时候通过探测器件储存的电子多少来恢复数据。
LDPC纠错流程
NAND硬判决,数据传输到控制器,以及硬判决解码这几个过程的速度都很快。软判决要读很多次,传输数据很多次,所以对SSD的性能产生不好的影响。
为了提高性能,一种普遍的优化是,把LDPC的软判决的分辨率变成动态可调,这样只有最坏的情况下,才需要最高的分辨率去读。这样在大部分情况下,软判决读和软判决传输数据的时间开销大大变小。
存储原厂 |
三星电子 | 58800 | KRW | 0.00% |
SK海力士 | 197900 | KRW | +0.46% |
铠侠 | 2316 | JPY | +2.71% |
美光科技 | 88.710 | USD | +2.09% |
西部数据 | 40.890 | USD | +1.14% |
闪迪 | 48.110 | USD | +1.05% |
南亚科 | 41.10 | TWD | +7.31% |
华邦电子 | 18.70 | TWD | +3.31% |
主控厂商 |
群联电子 | 556 | TWD | +4.51% |
慧荣科技 | 50.990 | USD | +0.85% |
联芸科技 | 46.74 | CNY | -0.15% |
点序 | 62.6 | TWD | +0.81% |
国科微 | 68.84 | CNY | +0.38% |
品牌/模组 |
江波龙 | 92.83 | CNY | +0.91% |
希捷科技 | 84.540 | USD | -0.48% |
宜鼎国际 | 260.0 | TWD | +0.97% |
创见资讯 | 104.0 | TWD | 0.00% |
威刚科技 | 90.7 | TWD | +2.37% |
世迈科技 | 17.270 | USD | -0.58% |
朗科科技 | 27.22 | CNY | +5.96% |
佰维存储 | 69.69 | CNY | -0.20% |
德明利 | 129.39 | CNY | +2.16% |
大为股份 | 14.84 | CNY | -0.13% |
封测厂商 |
华泰电子 | 35.55 | TWD | +8.05% |
力成 | 127.5 | TWD | +1.19% |
长电科技 | 35.23 | CNY | +0.66% |
日月光 | 149.0 | TWD | -0.33% |
通富微电 | 26.88 | CNY | +0.19% |
华天科技 | 10.59 | CNY | -0.19% |
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