编辑:Helan 发布:2018-07-02 15:16
相较于处理器芯片,存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结,LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。
具体来说,LPDDR5的速度将达到6400Mbps,比LPDDR4翻番,比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC厂商Synopsys透露的,LPDDR5将引入WCK差分时钟,类似于GDDR5,从而在不增加引脚的情况下提升频率。
此外,LPDDR5还将引入Link ECC,具备从传输错误中恢复数据的能力。
当然,因为手机、Windows平板将主要采纳,LPDDR5在降低功耗方面也做了更细致的工作,虽然电压相较于LPDDR4X未变,但是闲置状态下的电流将减少40%。
有消息称,三星可能会在今年下半年宣布LPDDR5开始制造的消息,拭目以待吧。
对比之下,UFS 3.0的标准已经由JDEC正式敲定,最大速度2900MB/s,对比UFS 2.1的1200MB/s提升了1倍。
三星已经启动了面向汽车领域的UFS 3.0闪存芯片生产,智能机/平板有望在2019年开始逐渐普及,三星S10开始?
至于SD Express标准的存储卡,最大容量(SDUC卡)提升到128TB,速度更是可达到 985MB/s。
存储原厂 |
三星电子 | 55800 | KRW | 0.00% |
SK海力士 | 180800 | KRW | -0.66% |
铠侠 | 1886 | JPY | +0.86% |
美光科技 | 76.710 | USD | -2.35% |
西部数据 | 40.900 | USD | -0.02% |
闪迪 | 32.298 | USD | +0.09% |
南亚科 | 37.20 | TWD | +0.27% |
华邦电子 | 15.95 | TWD | +1.59% |
主控厂商 |
群联电子 | 449.0 | TWD | +1.24% |
慧荣科技 | 44.290 | USD | -0.45% |
联芸科技 | 40.56 | CNY | +1.65% |
点序 | 55.5 | TWD | +1.28% |
国科微 | 69.40 | CNY | +0.78% |
品牌/模组 |
江波龙 | 75.40 | CNY | +2.38% |
希捷科技 | 82.180 | USD | +0.02% |
宜鼎国际 | 240.0 | TWD | +0.63% |
创见资讯 | 103.5 | TWD | +0.98% |
威刚科技 | 83.8 | TWD | +2.44% |
世迈科技 | 17.045 | USD | -1.30% |
朗科科技 | 24.07 | CNY | +0.21% |
佰维存储 | 61.52 | CNY | +2.88% |
德明利 | 126.58 | CNY | +3.52% |
大为股份 | 13.89 | CNY | +2.51% |
封测厂商 |
华泰电子 | 33.40 | TWD | +1.83% |
力成 | 111.5 | TWD | 0.00% |
长电科技 | 33.02 | CNY | +0.92% |
日月光 | 138.5 | TWD | +1.09% |
通富微电 | 25.37 | CNY | +0.87% |
华天科技 | 9.80 | CNY | 0.00% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2